关键限制因素 1：与充电有关的损耗

在任何硬开关直流/直流转换器中，系统中寄生电容的充电和放电都需要一定量的能量。对于给定的开关技术和额定电压，通过方程式 2 和方程式 3 可估算得出这些损耗为：

方程式 2.

P_{S W} = \frac{1}{2} \times C_{D S} \times {(V_{D S})}^{2} {\times f}_{S W}

方程式 3.

P_{G A T E} = Q_{G} \times V_{G} {\times f}_{S W}

其中

从方程式 2 和方程式 3 可以看出，可主要通过降低开关频率（不可取），改善 MOSFET 的电荷相关 FoM（QG 和 CDS）或在传导损耗与开关损耗之间进行权衡来减少这些损耗。