ZHCY127C january   2023  – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050

 

  1.   内容概览
  2.   Authors
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  4.   什么是功率密度？
  5.   限制功率密度的因素有哪些？
  6.   限制功率密度的因素：开关损耗
  7.   关键限制因素 1：与充电有关的损耗
  8.   关键限制因素 2：反向恢复损耗
  9.   关键限制因素 3：导通和关断损耗
  10.   限制功率密度的因素：热性能
  11.   如何突破限制功率密度的障碍
  12.   开关损耗创新
  13.   封装散热创新
  14.   先进的电路设计创新
  15.   集成创新
  16.   结语
  17.   附加材料

关键限制因素 2：反向恢复损耗

在降压转换器中，当高侧 MOSFET 导通，同时低侧 MOSFET 的体二极管导通电流时，会发生反向恢复，从而迫使低侧二极管电流迅速过渡至高侧 MOSFET。在该过渡过程中，需要电流来消除会造成直接开关损耗的低侧二极管少数电荷，请参阅方程式 4。

方程式 4. E R R = V I N × I L × t R R + V I N × Q R R  

减少二极管反向恢复影响的理想方法之一，是减少存储电荷 (QRR) 通过优化 MOSFET 设计，或减少或消除上升沿死区时间，从而完全消除损耗的影响。