关键限制因素 3：导通和关断损耗

寄生环路电感会导致许多与开关相关的损耗，这会大大降低效率。让我们再次以通过高侧 MOSFET 传导电感电流的降压转换器为例。关闭高侧开关会中断通过寄生电感的电流。瞬态电流 (di/dt) 以及寄生环路电感会引起电压尖峰。di/dt 值越高，开关损耗越低，从而导致器件电压应力越高。在某些关断速度下，降压转换器高侧开关会发生击穿。因此，您必须审慎地控制开关速度，最大限度地提高效率，同时将直流/直流转换器放置在安全工作区域内。有关详细信息，请参阅应用手册了解高输出电流和高温下工作的 SOA 曲线。

此外，降低高侧 MOSFET 的漏极电荷也会导致其上出现额外的电压尖峰，这是因为作为电感/电容网络的一部分，用于吸收寄生环路电感中所存储能量的电容较小。这带来了另一个挑战，因此最好是将漏极电荷保持在尽可能低的水平，以减少前面提到的与电荷相关的损耗。要减轻与这些寄生效应相关的总损耗，通常需要减少环路电感本身，同时采用其他栅极驱动器技术。