ZHCUDJ3A December   2025  – June 2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 术语
    2. 1.2 主要系统和接口规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 TMS320F28P65x (F28P65x)
      2. 2.3.2 DRV8376
      3. 2.3.3 DP83826A
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 F28P65 电机控制和通信接口
    2. 3.2 多轴电机控制方案
    3. 3.3 直流链路去耦
    4. 3.4 具有 DRV8376 的三相逆变器
    5. 3.5 系统电源管理
    6. 3.6 以太网物理层
  10. 4硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
      1. 4.1.1 TIDA-010992 PCB 概览
      2. 4.1.2 TIDA-010992 硬件设置
    2. 4.2 软件要求
    3. 4.3 测试和结果
      1. 4.3.1 电源管理和系统上电和断电
      2. 4.3.2 电流反馈
      3. 4.3.3 三相半桥电机驱动器功率级开关节点
      4. 4.3.4 多轴电机控制方案验证
      5. 4.3.5 系统热性能测量
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
      3. 5.1.3 板层图
      4. 5.1.4 Altium 工程
      5. 5.1.5 Gerber 文件
      6. 5.1.6 装配图
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5.     商标
  12. 6作者简介
  13. 7修订历史记录

2.3.2 DRV8376

DRV8376 器件是一款集成式 400mΩ（高侧和低侧 MOSFET 的导通状态电阻之和）驱动器，适用于三相电机驱动应用。该器件通过集成三个半桥 MOSFET、栅极驱动器、电荷泵、电流检测放大器以及用于外部负载的线性稳压器，降低了系统元件数量、成本和复杂性，，如图 2-3 所示。标准的串行外设接口 (SPI) 提供了一种简单的方法，可通过外部控制器配置各种器件设置和读取故障诊断信息。或者，硬件接口 (H/W) 选项允许通过固定外部电阻器来配置常用的设置。该架构使用内部状态机来防止发生短路事件，并防止内部功率 MOSFET 发生 dv/dt 寄生导通。DRV8376 器件集成了三个双向电流检测放大器，旨在使用内置电流检测来监控流过每个低侧 MOSFET 的电流。可通过 SPI 或硬件接口调整放大器的增益设置。

除了高度的器件集成之外，DRV8376 器件还提供广泛的集成保护功能。这些功能包括电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压锁定 (CPUV)、过流保护 (OCP)、AVDD 和 GVDD 欠压锁定（AVDD_UV、GVDD_UV）和过热关断（OTW 和 OTSD）。故障事件由 nFAULT 引脚指示，可在 SPI 器件版本的 SPI 寄存器中获得详细信息。DRV8376 器件采用 VQFN 表面贴装封装。VQFN 封装尺寸为 6mm × 5mm。表 2-2 中汇总了关键特性。

TIDA-010992 DRV8376S 功能框图图 2-3 DRV8376S 功能框图
表 2-2 DRV8376 的特性与优势
特性 优势
集成式三相 70V FET 电机驱动器，400mΩ 器件，支持 4.5 A 峰值运行。 支持高达 48VDC 的三相逆变器，相电流达 1ARMS，开关频率高达 100kHz，适用于低电感及高速驱动应用。
主动消磁和经优化的引脚排列。 最小化封装寄生元件可实现快速开关，从而降低开关损耗。简单的 PCB 布局。
低可闻噪声，超低死区时间 < 200ns，传播延迟 < 100ns。 每个半桥均可实现超低死区，从而大幅降低三相逆变器应用中的开关损耗并消除相电压中的死区时间失真。出色的电机控制性能。
6x 或 3x PWM 控制接口，集成电流感应，用于读取/写入 DRV 寄存器的 SPI 接口 不需要外部电流检测电阻器。可通过 SPI 接口实现灵活的器件配置。减小 PCB 尺寸和 BOM。
驱动关断模式和低功耗睡眠模式 启用器件的关断模式以输出所有引脚的 Hi-Z。在 VVM=24V 时，启用 1.5uA 的低功耗睡眠模式。
集成了保护功能：UVLO、CPUV、OCP、OTW、OTSD 针对外部保护电路减少了 BOM。