ZHCUCN0 December 2024
电路板上的短路检测系统可在发生短路事件时提供保护。当检测到短路时,栅极驱动器会通过 SSD 引脚灌入指定大小的电流,该电流可通过 SSD 引脚外部电阻器进行编程。FLT 标志也将在初级侧升高。如果未使用短路检测系统或 IGBT/MOSFET 未连接到电路板,则 J1 和 J2 应分别短接至高侧和低侧 COM 以防止错误地触发短路。
VDS 电压检测阈值可通过本常见问题解答中提到的以下公式计算得出:
使用 9V 内部 DESAT 检测阈值、两个正向电压均为 0.6V 的 STTH122A 二极管、1kΩ 限流电阻、具有 2.7V 齐纳电压的齐纳二极管和 2mA 内部充电电流时,Vds DESAT 检测阈值计算结果为 3.1V。如果需要另一个 Vds 电压检测阈值,请调整限流电阻的大小和齐纳二极管的齐纳电压。
在该 EVM 中,实施了此常见问题解答中提到的方法,以便在发生短路事件时增大 DESAT 充电电流。增大 DESAT 充电电流可以缩短电容器的消隐时间,并为 SiC MOSFET 提供更好的保护。此电路的消隐时间可通过同一常见问题解答中提到的公式计算得出,计算结果为 115ns。此消隐时间计算公式对于 VDD = 20V 有效;如果使用另一个 VDD 值,则消隐时间会有所不同。
图 3-7 DESAT 电路