ZHCUCL7 November   2024 TUSB2E221

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1评估模块概述
    1. 1.1 引言
    2. 1.2 套件内容
    3. 1.3 规格
    4. 1.4 器件信息
  7. 2硬件
    1. 2.1 入门
    2. 2.2 EVM 配置
      1. 2.2.1 电源模式
        1. 2.2.1.1 自供电配置
        2. 2.2.1.2 总线供电配置
        3. 2.2.1.3 外部电源
      2. 2.2.2 功能模式
        1. 2.2.2.1 启用 I2C 的中继器模式
        2. 2.2.2.2 GPIO 中继器模式
        3. 2.2.2.3 UART 模式
      3. 2.2.3 I/O 和中断
  8. 3硬件设计文件
    1. 3.1 原理图
    2. 3.2 电路板布局布线
    3. 3.3 物料清单
  9. 4其他信息
    1. 4.1 商标
    2. 4.2 相关文档

3.2 电路板布局布线

TUSB2E221QFNEVM 的布局注意事项如下：

  • USB 2.0 信号的阻抗控制为 90Ω 差分 ±5%。
  • eUSB2 信号的阻抗控制为 45Ω 单端 ±5%。
  • USB 2.0 和 eUSB2 信号对使用匹配的布线长度，尽可能减少使用过孔。
  • 所有其他信号的阻抗控制为 45Ω ± 10% 或 50Ω ± 10%。

TUSB2E221QFNEVM 采用 4 层堆叠。

TUSB2E221QFNEVM TUSB2E221QFNEVM PCB 顶层图 3-2 TUSB2E221QFNEVM PCB 顶层
TUSB2E221QFNEVM TUSB2E221QFNEVM PCB 第 3 层（电源平面）图 3-4 TUSB2E221QFNEVM PCB 第 3 层（电源平面）
TUSB2E221QFNEVM TUSB2E221QFNEVM PCB 第 2 层（接地平面）图 3-3 TUSB2E221QFNEVM PCB 第 2 层（接地平面）
TUSB2E221QFNEVM TUSB2E221QFNEVM 第 4 层（底面）图 3-5 TUSB2E221QFNEVM 第 4 层（底面）