ZHCUBH1 November   2023 LM74930-Q1

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   特性
  4.   应用
  5.   5
  6. 1评估模块概述
    1. 1.1 简介
    2. 1.2 套件内容
    3. 1.3 规格
    4. 1.4 器件信息
  7. 2硬件
    1. 2.1 测试点和连接器
    2. 2.2 测试设备和设置
      1. 2.2.1 电源
      2. 2.2.2 仪表
      3. 2.2.3 示波器
      4. 2.2.4 负载
    3. 2.3 测试设置和过程
      1. 2.3.1 通过输入电压实现上电和断电
      2. 2.3.2 未抑制的负载突降 200V - 输出钳位
      3. 2.3.3 过流保护测试
      4. 2.3.4 输出热短接测试
  8. 3硬件设计文件
    1. 3.1 原理图
    2. 3.2 PCB 布局
    3. 3.3 物料清单 (BOM)
  9. 4其他信息
    1.     商标

1.1 简介

本用户指南介绍了用于评估 LM74930-Q1 理想二极管控制器器件性能的 LM74930Q1EVM 评估模块。LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制以及过流、短路和过压保护功能的理想二极管整流器。本文档提供了用于评估 LM74930-Q1 器件的 EVM 配置信息和测试设置详细信息，还包括 EVM 原理图、电路板布局布线和物料清单 (BOM)。

表 1-1 LM74930Q1EVM 评估板选项和设置
器件型号 EVM 功能 Vin 范围 Vin UVLO Vin OVP

ENABLE

(EN)

 过流

保护

 特性
低设置 高设置
LM74930Q1EVM 具有浪涌抑制功能、断路器、欠压和过压保护以及故障 输出的理想二极管 4 V 至 65 V 5.3V 36.96V 高电平有效 4A 6A 可选过流阈值和计时器设置