ZHCUAT6A february   2023  – august 2023 UCC14340-Q1 , UCC14341-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1引言
    1. 1.1 U1 元件选型
    2. 1.2 引脚配置和功能
  5. 2说明
    1. 2.1 EVM 电气性能规格
  6. 3原理图
  7. 4EVM 设置和操作
    1. 4.1 建议测试设备
    2. 4.2 通过外部连接轻松进行评估
    3. 4.3 为 EVM 供电
      1. 4.3.1 加电以便启动
      2. 4.3.2 断电以便关断
    4. 4.4 EVM 测试点
    5. 4.5 探测 EVM
  8. 5 性能数据
    1. 5.1  效率数据
    2. 5.2  调节数据
    3. 5.3  稳态输入电流
    4. 5.4  启动波形
    5. 5.5  浪涌电流
    6. 5.6  交流纹波电压
    7. 5.7  EN 至 /PG 时序
    8. 5.8  RLIM
    9. 5.9  故障保护
      1. 5.9.1 输出 UVLO
      2. 5.9.2 COM-VEE 的输出 OVP
    10. 5.10 关断
    11. 5.11 热性能
  9. 6组装和印刷电路板 (PCB) 层
  10. 7物料清单 (BOM)
  11. 8修订历史记录

热性能

图 5-28 所示,满载 EVM 运行可能导致 U1 封装温度非常高。在满载运行期间探测或操作 EVM 时,请小心不要触碰 U1 外壳。


GUID-20230214-SS0I-J03Q-3PBK-N2GXZZPDLSBC-low.png

VIN = 15V VDD = 22.2 V IVDD = 68.3 mA
VCOM = 4V ICOM = 0mA POUT = 1.51W
TRISE = 44.1°C(请参阅方程式 1
图 5-27 VIN=15V,IVDD-VEE=68.3mA,1.51W

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图 5-28 功率损耗和外壳温度与输入电压间的关系,TA=23°C,1.51W
  1. 方程式 1. T R I S E = 67.1 ° C - 23 ° C = 44.1 ° C

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VIN = 15V VDD = 22.2 V IVDD = 0 mA
VCOM = 4V ICOM = 0mA POUT = 0W
TRISE = 12.2°C(请参阅方程式 2
图 5-29 VIN=15V,IVDD-VEE=0mA,POUT=0W

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图 5-30 功率损耗和外壳温度与输入电压间的关系,TA=23°C,0W
  1. 方程式 2. T R I S E = 35.2 ° C - 23 ° C = 12.2 ° C