DRV84xx、DRV89x2 和 DRV82x2 系列器件包含适用于各种工业应用的宽电压、高功率驱动器。

DRV84xx：DRV8452、DRV8461 和 DRV8462，具有自动扭矩、静音步进衰减模式和自动微步进的步进电机驱动器

自动扭矩功能根据负载扭矩调整线圈电流，以此提高系统效率。静止省电模式可自动减少电机保持状态下的功率损耗。静音步进衰减模式可实现无噪声运行。

采用内部电流检测架构，无需再使用外部功率检测电阻，从而缩小 PCB 面积并降低系统成本。DRV8452/DRV8461/DRV8462 的内置分度器支持高达 1/256 微步，自动微步进模式对输入 STEP 信号进行插值，以减少控制器 MCU 的开销。

无传感器失速检测消除了系统的末端停止。该器件支持保护和诊断功能，可实现稳健可靠的运行。

DRV89x2：DRV8952 和 DRV8962，具有电流检测输出的四通道半桥驱动器

器件的输出级包括配置为四个独立半桥的 N 沟道功率 MOSFET、电荷泵稳压器、电流检测和调节电路、电流比例输出以及保护电路。

高侧 MOSFET 上的集成电流检测功能可让器件在负载从输出端接地时调节负载电流。利用可调外部电压基准 (VREF)，可设置调节电流限值。此外，该器件还提供四个比例电流输出引脚，每个引脚对应一个半桥高侧 FET。

该器件提供了低功耗睡眠模式，可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括：电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (OTSD) 保护。

DRV82x2：DRV8252 和 DRV8262，具有电流检测输出的单路或双路 H 桥电机驱动器

该器件集成了两个 H 桥。两个 H 桥可以并联在一起。如需了解更多信息，请参考数据表。

与 DRV89x2 类似，在启动期间和高负载事件中，高侧 MOSFET 上的集成电流检测功能可实现通过驱动器调节电机电流。利用可调外部电压基准，可设置电流限值。此外，该器件还提供与每个 H 桥的电机电流成正比的输出电流。集成检测采用电流镜架构，无需大型分流电阻，可以节省电路板面积并降低系统成本。

该器件提供了低功耗睡眠模式，可实现超低静态电流。提供的内部保护特性包括：电源欠压锁定 (UVLO)、电荷泵欠压 (CPUV)、输出过流 (OCP) 和器件过热 (OTSD) 保护。