ZHCUAP3A january   2023  – july 2023 TPSF12C3 , TPSF12C3-Q1

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   开始使用
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1评估模块概述
    1. 1.1 引言
    2. 1.2 套件内容
    3. 1.3 规格
    4. 1.4 器件信息
  8. 2硬件
    1. 2.1 EVM 描述
    2. 2.2 设置
      1. 2.2.1 高压测试
      2. 2.2.2 EVM 连接
      3. 2.2.3 低压测试
    3. 2.3 接头信息
    4. 2.4 EVM 性能验证
    5. 2.5 AEF 设计流程
      1. 2.5.1 AEF 电路优化和调试
  9. 3实现结果
    1. 3.1 EMI 性能
    2. 3.2 插入损耗
    3. 3.3 浪涌抗扰度
    4. 3.4 SENSE 和 INJ 电压
  10. 4硬件设计文件
    1. 4.1 原理图
    2. 4.2 物料清单
    3. 4.3 PCB 布局
      1. 4.3.1 装配图
      2. 4.3.2 多层叠
  11. 5合规信息
    1. 5.1 合规性和认证
  12. 6其他信息
    1.     商标
  13. 7相关文档
    1. 7.1 补充内容
  14. 8修订历史记录

1.3 规格

表 2-1 列出了 EVM 规格。除非另有说明，否则 VVDD = 12V。

表 1-1 电气性能规格
参数条件最小值典型值最大值单位
输入特性
VDD 电源电压，VVDD(1)81216V
VDD UVLO 导通阈值，VVDD(on)VVDD 上升7.7
VDD UVLO 关断阈值，VVDD(off)VVDD 下降6.7
VDD 电源电流，启用，IVDD(on)EN 开路或连接至高电平12.5mA
VDD 电源电流，禁用，IVDD(off)EN 连接至 GND50µA
输出特性
注入电压，VINJ(2)2.5VVDD – 2V
注入电流，IINJVVDD = 8V 至 16V-8080mA
系统特性
降低共模 EMI(3)100kHz 至 1MHz25dB
IC 结温，TJ(4)-40150°C
(1) TPSF12C3 的标称电源电压（相对于机箱 GND）为 12V。
(2) 验证 INJ 引脚电压摆幅是否在规定的限值之间，以避免饱和与削波。
(3) 从 100kHz 逐渐增加到 3MHz 时，此 EVM 的 EMI 预期会降低高达 30dB（启用或禁用该器件）。此性能指标可能会根据 VDD 电源电压、无源滤波器元件值、有源电路补偿和阻尼元件值、环境温度以及其他参数而变化。
(4) 根据 VDD 电源电压和电流、本地环境温度和结至环境热阻计算 TPSF12C3 的工作结温：TJ = TA + RθJA × PD，其中 IC 功率耗散为 PD = VVDD × IVDD。