有源阵列温度可以通过温度检测二极管测量值、阵列到二极管的热阻、电功率和照明热负荷进行分析计算。以下公式提供了阵列温度与温度检测二极管之间的关系:
方程式 7. TARRAY = TDIODE + (QARRAY × RARRAY–TO–DIODE)
方程式 8. QILLUMINATION = (QINCIDENT × DMD Absorption Constant)
方程式 9. QARRAY = QELECTRICAL + QILLUMINATION
其中
- TARRAY = 计算得出的阵列温度 (°C)
- TDIODE = 测得的温度检测二极管温度 (°C)
- RARRAY–TO–DIODE = 阵列到二极管的封装热阻 (°C/W)
- QARRAY = DMD 阵列上的总功率(电功率 + 吸收功率)(W)
详情请参阅节 6.6。
- QELECTRICAL = DMD 的额定电功率耗散 (W)
- QILLUMINATION = 吸收的照明热负荷 (W)
- QINCIDENT = DMD 上的入射功率 (W)
以下样本计算假设总入射光量的 10% 落在有源阵列和 POM 之外,并且微镜处于“关闭”状态。
- TDIODE = 55°C
- QINCIDENT = 10W (measured)
- DMD 吸收常数 = 1.004 – 0.005235 × 90 = 0.533
- QELECTRICAL = 0.5 W
- RARRAY–TO–DIODE = 0.1°C/W
- QARRAY = 0.5W + (0.533 × 10 W) = 5.83 W
- TARRAY = 55°C + (5.83W × 0.1°C/W) = 55.6°C