ZHCSZF7 December   2025 DLP3944-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  存储条件
    3. 5.3  ESD 等级
    4. 5.4  建议运行条件
    5.     11
    6. 5.5  热性能信息
    7. 5.6  电气特性
    8. 5.7  开关特性
    9. 5.8  时序要求
    10.     16
    11. 5.9  系统安装接口负载
    12.     18
    13. 5.10 微镜阵列物理特性
    14.     20
    15. 5.11 微镜阵列光学特性
    16. 5.12 窗口特性
    17. 5.13 芯片组元件使用规格
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 SubLVDS 数据接口
      2. 6.3.2 用于控制的低速接口
      3. 6.3.3 电源接口
      4. 6.3.4 时序
    4. 6.4 器件功能模式
    5. 6.5 光学接口和系统图像质量注意事项
      1. 6.5.1 数字光圈和杂散光控制
      2. 6.5.2 光瞳匹配
      3. 6.5.3 照明溢出
    6. 6.6 微镜阵列温度计算
      1. 6.6.1 使用温度检测二极管监控阵列温度
    7. 6.7 微镜功率密度计算
    8. 6.8 窗口孔隙照明溢出计算
    9. 6.9 微镜着陆打开/着陆关闭占空比
      1. 6.9.1 微镜着陆开/着陆关占空比的定义
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 应用概述
      2. 7.2.2 参考设计
      3. 7.2.3 应用任务剖面注意事项
      4. 7.2.4 设计要求
      5. 7.2.5 详细设计过程
    3. 7.3 温度检测
      1. 7.3.1 温度检测二极管
        1. 7.3.1.1 温度检测二极管理论
  9. 8 电源相关建议
    1. 8.1 DMD 电源上电过程
    2. 8.2 DMD 电源断电过程
    3. 8.3 DMD 电源时序要求
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 器件支持
      1. 10.2.1 器件命名规则
      2. 10.2.2 器件标识
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.6 微镜阵列温度计算

DLP3944-Q1 DMD 热测试点图 6-2 DMD 热测试点

有源阵列温度可以根据封装外部的热测量点、封装热阻、电功率和照明热负荷进行分析计算。以下公式展示了阵列温度与图 6-2 中的基准陶瓷温度 (TP1) 之间的关系：

方程式 1. TARRAY = TCERAMIC + (QARRAY × RARRAY–TO–CERAMIC)
方程式 2. QILLUMINATION=QINCIDENT×DMD Absorption Constant
方程式 3. QARRAY=QELECTRICAL+QILLUMINATION

其中

  • TARRAY = 计算得出的阵列温度 (°C)
  • TCERAMIC = 在图 6-2 中的 TP1 位置测得的陶瓷温度 (°C)
  • RARRAY–TO–CERAMIC = 阵列到热测试点 TP1 的 DMD 封装热阻 (°C/W)
  • QARRAY = DMD 阵列上的总功率（电功率 + 吸收功率）(W)
  • QELECTRICAL = DMD 的额定电功率耗散 (W)
  • QILLUMINATION = 吸收的照明热负荷 (W)
  • QINCIDENT = DMD 上的入射功率 (W)

DMD 吸收常数是有源阵列和阵列边框上的照明分布、入射角 (AOI)、系统 f 数和微镜工作状态的函数。“关闭”状态下的吸收常数高于“开启”状态下的吸收常数。针对微镜“开启”和“关闭”状态提供了用于计算吸收常数的公式。这些公式假设 AOI 为 29 度，系统光圈为 f/2.0，并考虑了光在有源阵列、POM 以及阵列边框的分布。

方程式 4. DMD Absorption Constant (OFF state) = 1.004 – 0.005235 × (% of light on ActiveArray + POM)
方程式 5. DMD Absorption Constant (ON state) = 1.004 – 0.007776 × (% of light on ActiveArray + POM)

DMD 的电功率耗散是可变的，取决于电压、数据速率和工作频率。

以下样本计算假设总入射光量的 10% 落在有源阵列和 POM 之外，并且微镜处于“关闭”状态。

  1. TCERAMIC = 50°C (measured)
  2. QINCIDENT = 10W (measured)
  3. DMD 吸收常数 = 1.004 – 0.005235 × 90 = 0.533
  4. QELECTRICAL = 0.5 W
  5. RARRAY–TO–CERAMIC = 2.6°C/W
  6. QARRAY = 0.5W + (0.533 × 10W) = 5.83W
  7. TARRAY = 50°C + (5.83W × 2.6°C/W) = 65.2°C

在设计 DMD 散热器解决方案时，从阵列到基准陶瓷温度的封装热阻（可使用热电偶位置 TP1 测定封装内的温升，如以下公式所示）：

方程式 6. TARRAY-TO-CERAMIC = QARRAY × RARRAY–TO–CERAMIC