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ZHCSZF7 December 2025 DLP3944-Q1

ADVANCE INFORMATION

5.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内和电源电压下测得（除非另有说明）。

		最小值	典型值	最大值	单位
电源电压范围
V_DD	LVCMOS 内核逻辑的电源电压LPSDR 低速接口的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾	1.71	1.8	1.95	V
V_DDI	SubLVDS 接收器的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾	1.71	1.8	1.95	V
V_OFFSET	HVCMOS 和微镜电极的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾⁽³⁾	9.5	10	10.5	V
V_BIAS	镜电极的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾	17.5	18	18.5	V
V_RESET	微镜电极的电源电压 ⁽¹⁾⁽²⁾	-14.5	-14	-13.5	V
\| V_DDI - VDD \|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁴⁾			0.3	V
\| V_BIAS-V_OFFSET \|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁵⁾			10.5	V
\| V_BIAS - V_RESET \|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁶⁾			33	V
LPSDR 接口
V_IH	高电平输入电压	0.7 x V_DD			V
V_IL	低电平输入电压			0.3 x V_DD	V
V_IH(AC)	AC 输入高电压	0.8 × V_DD		V_DD + 0.3	V
V_IL(AC)	AC 输入低电压	-0.3		0.2 × V_DD	V
V_Hyst	输入迟滞	0.1 × V_DD		0.4 × V_DD	V
f_{max_LS}	低速接口 LS_CLK 的时钟频率 ⁽⁷⁾	108	120	130	MHz
DCD_IN	LSIF 占空比失真 (LS_CLK) ⁽⁷⁾	44		56	%
SUBLVDS 接口
f_{max_HS}	高速接口 DCLK 的时钟频率 ⁽⁸⁾		600	720	MHz
DCD_IN	LVDS 占空比失真 (DCLK)	48		52	%
\| V_ID \|	LVDS 差分输入电压幅度 ⁽⁸⁾	150	250	350	mV
V_CM	共模电压 ⁽⁸⁾	700	900	1100	mV
V_SUBLVDS	SubLVDS 电压 ⁽⁸⁾	525		1275	mV
Z_IN	内部差分端接电阻	80	100	120	Ω
温度二极管
I_{TEMP_DIODE}	温度二极管的最大电流源			120	µA
环境
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度⁽⁹⁾⁽¹⁰⁾⁽¹¹⁾	-40		105	°C
Q_AP-ILL	窗口孔隙照明溢出 ⁽¹²⁾⁽¹³⁾⁽¹⁴⁾			80	mW/mm²
照明
ILL_UV	波长 < 410nm 时的照明功率⁽⁹⁾⁽¹⁵⁾			10	mW/cm²

(1) 运行 DMD 需要以下所有电源：V_DD、V_DDI、V_OFFSET、V_BIAS 和 V_RESET。同时还需要所有的 V_SS 连接。

(2) 所有电压值均与接地引脚 (V_SS) 相关。

(3) V_OFFSET 电源电压瞬态必须处于指定的最大电压范围内。

(4) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_DDI – V_DD| 必须小于指定的限值。

(5) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_BIAS – V_OFFSET| 必须小于指定的限值。

(6) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_BIAS – V_RESET| 必须小于指定的限值。

(7) LS_CLK 必须按指定方式运行，以确保复位波形命令的内部 DMD 时序。

(8) 请参阅时序要求中的 SubLVDS 时序要求。

(9) 如果 DMD 同时暴露于温度和 UV 照明的最大建议运行条件下，则会缩短器件寿命。

(10) 阵列温度无法直接测量，必须通过在图 6-5 所示的测试点 (TP1) 测量的温度以及封装热阻（使用微镜阵列温度计算）进行分析计算。

(11) 长期定义为器件的使用寿命。

(12) 适用于图 5-1 中定义的区域。

(13) DMD 的工作区域被 DMD 窗口表面内的孔隙包围，该孔隙遮挡了正常视图的 DMD 器件组件的结构。该孔隙的大小可以预测多种光学条件。照亮有源阵列外部区域的溢出光会产生散射，并对使用 DMD 的终端应用的性能产生不利影响。照明光学系统的一项设计要求是尽可能减少入射到有源阵列外部的光通量。根据光学系统的特定光学架构和组装公差，有源阵列外部的溢出光量可能会导致系统性能下降。

(14) 要进行计算，请参阅窗口孔隙照明溢出计算。

(15) 如需计算，请参阅微镜功率密度计算。