ZHCSZ33 October 2025 DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
| 引脚 | 24 引脚封装 | 类型(1) | 说明 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | DRV8311H-Q1 | DRV8311P-Q1 | DRV8311S-Q1 | ||
| AD0 | — | 15 | — | I | 仅在 tSPI 器件 DRV8311P-Q1 上。tSPI 的地址选择。 |
| AD1 | — | 14 | — | I | 仅在 tSPI 器件 DRV8311P-Q1 上。tSPI 的地址选择。 |
| AGND | 16 | 16 | 16 | PWR | 器件模拟接地。连接到系统地。 |
| AVDD | 17 | 17 | 17 | PWR | 3.3V 稳压器输出。在 AVDD 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.7µF 至 7µF、6.3V 陶瓷电容器。该稳压器可从外部拉取高达 100mA 的电流。 |
| CP | 6 | 6 | 6 | PWR | 电荷泵输出。在 VCP 和 VM 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、16V 陶瓷电容器。 |
| CSAREF | 2 | 2 | 2 | PWR | 电流检测放大器电源输入和基准。在 CSAREF 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、6.3V 陶瓷电容器。 |
| 增益 | 21 | — | — | I | 仅在硬件器件上 (DRV8311H-Q1)。电流检测放大器增益设置。该引脚是一个 4 电平输入引脚,由 GAIN 和 AVDD 或 AGND 之间的外部电阻器配置。 |
| INHA | 15 | — | 15 | I | OUTA 的高侧驱动器控制输入。该引脚在 6x/3x PWM 模式下控制高侧 MOSFET 的状态。 |
| INHB | 14 | — | 14 | I | OUTB 的高侧驱动器控制输入。该引脚在 6x/3x PWM 模式下控制高侧 MOSFET 的状态。 |
| INHC | 13 | — | 13 | I | OUTC 的高侧驱动器控制输入。该引脚在 6x/3x PWM 模式下控制高侧 MOSFET 的状态。 |
| INLA | 18 | — | 18 | I | OUTA 的低侧驱动器控制输入。该引脚在 6x PWM 模式下控制低侧 MOSFET 的状态。 |
| INLB | 19 | — | 19 | I | OUTB 的低侧驱动器控制输入。该引脚在 6x PWM 模式下控制低侧 MOSFET 的状态。 |
| INLC | 20 | — | 20 | I | OUTC 的低侧驱动器控制输入。该引脚在 6x PWM 模式下控制低侧 MOSFET 的状态。 |
| 模式 | 23 | — | — | I | 仅在硬件器件上 (DRV8311H-Q1)。PWM 模式设置。该引脚是一个 4 电平输入引脚,由 MODE 和 AVDD 或 AGND 之间的外部电阻器配置。 |
| nFAULT | 1 | 1 | 1 | O | 故障指示引脚。故障条件下被拉至逻辑低电平;漏极开路输出需要外部上拉至 AVDD。 |
| nSCS | — | 20 | 24 | I | 仅在 SPI (DRV8311S-Q1) 和 tSPI (DRV8311P-Q1) 器件上。串行芯片选择。该引脚上的逻辑低电平支持串行接口通信(SPI 器件)。 |
| nSLEEP | 24 | 24 | — | I | 仅在 DRV8311H-Q1 和 DRV8311P-Q1 器件上。当该引脚为逻辑低电平时,器件进入低功耗睡眠模式。可以在 nSLEEP 引脚上使用一个 15 至 50µs 的低电平脉冲来复位故障条件,而不进入睡眠模式。 |
| OUTA | 10 | 10 | 10 | O | 半桥输出 A。连接到电机绕组。 |
| OUTB | 11 | 11 | 11 | O | 半桥输出 B。连接到电机绕组。 |
| OUTC | 12 | 12 | 12 | O | 半桥输出 C。连接到电机绕组。 |
| PGND | 9 | 9 | 9 | PWR | 器件电源地。连接到系统地。 |
| PWM_SYNC | — | 19 | — | I | 仅在 tSPI 器件 DRV8311P-Q1 上。在 PWM 生成模式下连接到 MCU 信号,以将从 DRV8311P-Q1 内部生成的 PWM 信号同步到 MCU。 |
| SCLK | — | 23 | 23 | I | 仅在 SPI (DRV8311S-Q1) 和 tSPI (DRV8311P-Q1) 器件上。串行时钟输入。串行数据在 SCLK 的上升沿移出,并在下降沿被锁存(SPI 器件)。 |
| SDI | — | 22 | 22 | I | 仅在 SPI (DRV8311S-Q1) 和 tSPI (DRV8311P-Q1) 器件上。串行数据输入。在 SCLK 引脚的下降沿捕捉数据(SPI 器件)。 |
| SDO | — | 21 | 21 | O | 仅在 SPI (DRV8311S-Q1) 和 tSPI (DRV8311P-Q1) 器件上。串行数据输出。在 SCLK 引脚的上升沿移出数据。 |
| SLEW | 22 | — | — | I | 仅在 DRV8311H-Q1 器件上。OUTx 电压转换率控制设置。该引脚是一个 4 电平输入引脚,由 SLEW 和 AVDD 或 AGND 之间的外部电阻器设置。 |
| SOA | 5 | 5 | 5 | O | OUTA 的电流检测放大器输出。 |
| SOB | 4 | 4 | 4 | O | OUTB 的电流检测放大器输出。 |
| SOC | 3 | 3 | 3 | O | OUTC 的电流检测放大器输出。 |
| VM | 8 | 8 | 8 | PWR | 电机的电源。连接到电机电源电压。在 VM 和 PGND 之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压为 VM 的陶瓷旁路电容器以及一个不小于 10µF、额定电压为 VM 的大容量电容器。此外,在 VM 和 CP 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、16V 陶瓷电容器。 |
| VIN_AVDD | 7 | 7 | 7 | PWR | AVDD 的电源输入。通过旁路将一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压为 VIN_AVDD 的陶瓷电容器连接到 AGND,并在 VIN_AVDD 与 PGND 之间连接一个不小于 10µF、额定电压为 VIN_AVDD 的大容量电容器。 |
| 散热焊盘 | PWR | 必须连接到 PGND。 | |||
| NC | — | 13.18 | — | — | 无连接。保持该引脚悬空。 |