ZHCSZ33 October   2025 DRV8311-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 SPI 次级器件模式时序
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出级
      2. 7.3.2  控制模式
        1. 7.3.2.1 6x PWM 模式（仅限 DRV8311S-Q1 和 DRV8311H-Q1 型号）
        2. 7.3.2.2 3x PWM 模式（仅限 DRV8311S-Q1 和 DRV8311H-Q1 型号）
        3. 7.3.2.3 PWM 生成模式（DRV8311S-Q1 和 DRV8311P-Q1 型号）
      3. 7.3.3  器件接口模式
        1. 7.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.3.2 硬件接口
      4. 7.3.4  AVDD 线性稳压器
      5. 7.3.5  电荷泵
      6. 7.3.6  压摆率控制
      7. 7.3.7  跨导（死区时间）
      8. 7.3.8  传播延迟
      9. 7.3.9  引脚图
        1. 7.3.9.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
        2. 7.3.9.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
        3. 7.3.9.3 开漏引脚
        4. 7.3.9.4 推挽引脚
        5. 7.3.9.5 四电平输入引脚
      10. 7.3.10 电流检测放大器
        1. 7.3.10.1 电流检测放大器操作
        2. 7.3.10.2 电流检测放大器失调电压校正
      11. 7.3.11 保护功能
        1. 7.3.11.1 VM 电源欠压锁定 (NPOR)
        2. 7.3.11.2 欠压保护 (UVP)
        3. 7.3.11.3 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.11.3.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 010b)
          2. 7.3.11.3.2 OCP 自动重试（OCP_MODE = 000b 或 001b）
          3. 7.3.11.3.3 OCP 仅报告 (OCP_MODE = 011b)
          4. 7.3.11.3.4 OCP 已禁用 (OCP_MODE = 111b)
        4. 7.3.11.4 过热保护
          1. 7.3.11.4.1 热警告 (OTW)
          2. 7.3.11.4.2 热关断 (OTSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 运行模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 编程
        1. 7.5.1.1 SPI 和 tSPI 格式
  9. 8 DRV8311-Q1 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 9.2.1.1 详细设计过程
          1. 9.2.1.1.1 电机电压
        2. 9.2.1.2 驱动器传播延迟和死区时间
        3. 9.2.1.3 延迟补偿
        4. 9.2.1.4 电流检测和输出滤波
        5. 9.2.1.5 应用曲线
    3. 9.3 三相无刷直流 tSPI 电机控制
      1. 9.3.1 详细设计过程
    4. 9.4 备选应用
    5. 9.5 电源相关建议
      1. 9.5.1 大容量电容
    6. 9.6 布局
      1. 9.6.1 布局指南
      2. 9.6.2 布局示例
      3. 9.6.3 散热注意事项
        1. 9.6.3.1 功率损耗和结温估算
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 支持资源
    2. 10.2 商标
    3. 10.3 静电放电警告
    4. 10.4 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.3.11.2 欠压保护 (UVP)

除 VM ULVO 外，该器件还为 VIN_AVDD、CSAREF、AVDD 和 CP 引脚提供欠压保护。VINAVDD_UV、CP_UV 和 AVDD_UV 欠压保护处于启用状态且无法禁用，而 CSAREF_UV 默认处于禁用状态，在 SPI 型号中可以配置 SYSF_CTRL 寄存器中的 CSAREFUV_EN 来启用。

在硬件器件型号中，AVDD_UV、VINAVDD_UV、CP_UV 保护处于启用状态，而 CSAREF_UV 处于禁用状态，并且 tRETRY 配置了 5ms 的快速自动重试时间。

针对所有 UV 保护的 SPI 器件型号 tRETRY 配置

  • 通过将 UVP_MODE 配置为 000b，可将慢速重试时间 SLOW_TRETRY 用于 tRETRY 周期
  • 通过将 UVP_MODE 配置为 001b，可将快速重试时间 FAST_TRETRY 用于 tRETRY 周期

VINAVDD 欠压保护 (VINAVDD_UV)

若 VIN_AVDD 引脚电压在任何时刻降至低于 VVINAVDD_UV 阈值，所有集成 FET、SPI 通信将被禁用，nFAULT 引脚将被驱动至低电平，DEV_STS1 中的 FAULT 和 UVP 以及 SUP_STS 中的 VINAVDD_UV 将设置为高电平。在 VIN_AVDD 引脚电压上升至高于 VVINAVDD_UV 阈值且经过时间 tRETRY 后，将自动再次开始正常运行（驱动器运行，释放 nFAULT 引脚并将 VINAVDD_UV 位清零）。FAULT 与 UVP 位将保持锁存的高电平状态，直至通过 CLR_FLT 位或 nSLEEP 复位脉冲 (tRST) 发出清除故障命令。

AVDD 欠压保护 (AVDD_UV)

若 AVDD 引脚电压在任何时刻降至低于 VAVDD_UV 阈值，所有集成 FET、SPI 通信将被禁用，nFAULT 引脚将被驱动至低电平，DEV_STS1 中的 FAULT 和 UVP 以及 SUP_STS 中的 AVDD_UV 将设置为高电平。在 AVDD 引脚电压上升至高于 VAVDD_UV 阈值且经过时间 tRETRY 后，将自动再次开始正常运行（驱动器运行，释放 nFAULT 引脚并将 AVDD_UV 位清零）。FAULT 与 UVP 位将保持锁存的高电平状态，直至通过 CLR_FLT 位或 nSLEEP 复位脉冲 (tRST) 发出清除故障命令。

CSAREF 欠压保护 (CSAREF_UV)

若 CSAREF 引脚电压在任何时刻降至低于 VCSAREF_UV 阈值，则会识别到 CSAREF_UV。CSA_UV 可通过配置 CSAREFUV_EN 来启用或禁用。启用时，在 CSAREF_UV 事件后，CSA 将被禁用，nFAULT 引脚被驱动至低电平，DEV_STS1 中的 FAULT 和 UVP 以及 SUP_STS 中的 CSAREF_UV 被设置为高电平。清除 CSAREF_UV 条件且经过时间 tRETRY 后，将自动再次开始正常运行（CSA 运行，释放 nFAULT 引脚并将 CSAREF_UV 位清零）。FAULT 与 UVP 位将保持锁存的高电平状态，直至通过 CLR_FLT 位或 nSLEEP 复位脉冲 (tRST) 发出清除故障命令。

注：

CSAREF_UV 在硬件型号中禁用，在 SPI 型号中亦默认禁用

CP 欠压保护 (CP_UV)

若 CP 引脚电压在任何时刻降至低于 VCP_UV 阈值，所有集成 FET 和电荷泵运行将被禁用，nFAULT 引脚将被驱动至低电平，DEV_STS1 中的 FAULT 和 UVP 以及 SUP_STS 中的 CP_UV 将设置为高电平。在 CP 引脚电压上升至高于 VCP_UV 阈值且经过时间 tRETRY 后，将自动再次开始正常运行（驱动器和电荷泵运行，释放 nFAULT 引脚并将 CP_UV 位清零）。FAULT 与 UVP 位将保持锁存的高电平状态，直至通过 CLR_FLT 位或 nSLEEP 复位脉冲 (tRST) 发出清除故障命令。