ZHCSZ33
October 2025
DRV8311-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
器件比较表
5
引脚配置和功能
6
规格
6.1
绝对最大额定值
6.2
ESD 等级
6.3
建议运行条件
6.4
热性能信息
6.5
电气特性
6.6
SPI 时序要求
6.7
SPI 次级器件模式时序
6.8
典型特性
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
特性说明
7.3.1
输出级
7.3.2
控制模式
7.3.2.1
6x PWM 模式(仅限 DRV8311S-Q1 和 DRV8311H-Q1 型号)
7.3.2.2
3x PWM 模式(仅限 DRV8311S-Q1 和 DRV8311H-Q1 型号)
7.3.2.3
PWM 生成模式(DRV8311S-Q1 和 DRV8311P-Q1 型号)
7.3.3
器件接口模式
7.3.3.1
串行外设接口 (SPI)
7.3.3.2
硬件接口
7.3.4
AVDD 线性稳压器
7.3.5
电荷泵
7.3.6
压摆率控制
7.3.7
跨导(死区时间)
7.3.8
传播延迟
7.3.9
引脚图
7.3.9.1
逻辑电平输入引脚(内部下拉)
7.3.9.2
逻辑电平输入引脚(内部上拉)
7.3.9.3
开漏引脚
7.3.9.4
推挽引脚
7.3.9.5
四电平输入引脚
7.3.10
电流检测放大器
7.3.10.1
电流检测放大器操作
7.3.10.2
电流检测放大器失调电压校正
7.3.11
保护功能
7.3.11.1
VM 电源欠压锁定 (NPOR)
7.3.11.2
欠压保护 (UVP)
7.3.11.3
过流保护 (OCP)
7.3.11.3.1
OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 010b)
7.3.11.3.2
OCP 自动重试(OCP_MODE = 000b 或 001b)
7.3.11.3.3
OCP 仅报告 (OCP_MODE = 011b)
7.3.11.3.4
OCP 已禁用 (OCP_MODE = 111b)
7.3.11.4
过热保护
7.3.11.4.1
热警告 (OTW)
7.3.11.4.2
热关断 (OTSD)
7.4
器件功能模式
7.4.1
功能模式
7.4.1.1
睡眠模式
7.4.1.2
运行模式
7.4.1.3
故障复位(CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲)
7.5
SPI 通信
7.5.1
编程
7.5.1.1
SPI 和 tSPI 格式
8
DRV8311-Q1 寄存器
9
应用和实施
9.1
应用信息
9.2
典型应用
9.2.1
三相无刷直流电机控制
9.2.1.1
详细设计过程
9.2.1.1.1
电机电压
9.2.1.2
驱动器传播延迟和死区时间
9.2.1.3
延迟补偿
9.2.1.4
电流检测和输出滤波
9.2.1.5
应用曲线
9.3
三相无刷直流 tSPI 电机控制
9.3.1
详细设计过程
9.4
备选应用
9.5
电源相关建议
9.5.1
大容量电容
9.6
布局
9.6.1
布局指南
9.6.2
布局示例
9.6.3
散热注意事项
9.6.3.1
功率损耗和结温估算
10
器件和文档支持
10.1
支持资源
10.2
商标
10.3
静电放电警告
10.4
术语表
11
修订历史记录
12
机械、封装和可订购信息
1
特性
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
温度等级 1:–40°C ≤ TA ≤ 125°C
三相 PWM 电机驱动器
三相无刷直流电机
3V 至 20V 工作电压
24V 绝对最大电压
高输出电流能力
5A 峰值电流驱动能力
低导通状态电阻 MOSFET
T
A
= 25°C 时,R
DS(ON)
(HS + LS) 为 210mΩ(典型值)
低功耗睡眠模式
1.5µA(V
VM
= 12V,T
A
= 25°C)
多种控制接口选项
6x PWM 控制接口
3x PWM 控制接口
在 MCU 和 DRV8311-Q1 之间具有可选校准功能的 PWM 生成模式 (SPI/tSPI)
tSPI (DRV8311P-Q1)
可通过 SPI 进行 PWM 占空比和频率更新
使用标准 4 线 SPI 控制多个 DRV8311P-Q1 器件
支持高达 200kHz 的 PWM 频率
集成电流检测
无需外部电阻
感测放大器输出,每个半桥一个
SPI 和硬件器件型号
10 MHz SPI 通信 (SPI/tSPI)
支持 1.8V、3.3V 和 5V 逻辑输入
内置 3.3V ± 4.5%、100 mA LDO 稳压器
集成保护功能
VM 欠压锁定 (UVLO)
电荷泵欠压 (CPUV)
过流保护 (OCP)
热警告和热关断 (OTW/OTSD)
故障条件指示引脚 (nFAULT)