ZHCSYP6A February   1997  – July 2025 TLV2322 , TLV2324

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  功耗额定值
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  电气特性，TLV2322
    5. 5.5  TLV2322 工作特性，VDD = 3V
    6. 5.6  工作特性，TLV2322，VDD = 5V
    7. 5.7  电气特性，TLV2324
    8. 5.8  工作特性，TLV2324，VDD = 3V
    9. 5.9  工作特性，TLV2324，VDD = 5V
    10. 5.10 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 单电源与双电源测试电路
    2. 6.2 输入偏置电流
    3. 6.3 低电平输出电压
    4. 6.4 输入偏移电压温度系数
    5. 6.5 全功率响应
    6. 6.6 测试时间
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 单电源供电
      2. 7.1.2 输入特性
      3. 7.1.3 噪声性能
      4. 7.1.4 反馈
      5. 7.1.5 静电放电保护
      6. 7.1.6 闩锁效应
      7. 7.1.7 输出特性
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.6 测试时间

测试时间不足是一个常见问题，尤其是在大批量、短测试时间的环境中测试 CMOS 器件时。CMOS 中的内部电容天生高于双极性和 BiFET 器件，并且比双极性和 BiFET 器件需要更长的测试时间。随着电源电平和温度降低，该问题变得更加明显。