ZHCSYP6A February   1997  – July 2025 TLV2322 , TLV2324

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  功耗额定值
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  电气特性,TLV2322
    5. 5.5  TLV2322 工作特性,VDD = 3V
    6. 5.6  工作特性,TLV2322,VDD = 5V
    7. 5.7  电气特性,TLV2324
    8. 5.8  工作特性,TLV2324,VDD = 3V
    9. 5.9  工作特性,TLV2324,VDD = 5V
    10. 5.10 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 单电源与双电源测试电路
    2. 6.2 输入偏置电流
    3. 6.3 低电平输出电压
    4. 6.4 输入偏移电压温度系数
    5. 6.5 全功率响应
    6. 6.6 测试时间
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 单电源供电
      2. 7.1.2 输入特性
      3. 7.1.3 噪声性能
      4. 7.1.4 反馈
      5. 7.1.5 静电放电保护
      6. 7.1.6 闩锁效应
      7. 7.1.7 输出特性
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

输出特性

TLV232x 的输出级旨在灌入和拉取相对较高的电流(请参阅节 5.10)。如果输出遇到短路情况,这种高电流能力在某些情况下可能造成器件损坏。输出电流能力随电源电压增加而提高。

尽管 TLV232x 已具有输出高电平电压和电流的出色能力,但在需要时也可以通过一些方法进一步增强此能力。最简单的方法是使用从输出端连接到正电源导轨的上拉电阻器(RP)(请参阅图 7-6)。使用该电路有两个劣势。首先,NMOS 下拉晶体管会灌入相对较大的电流。在该电路中,下拉晶体管的行为类似于线性电阻器,导通电阻介于约 60Ω 到 180Ω 之间,具体取决于运算放大器输入的驱动强度。RP 值非常低时,输出端会发生相对于 0V 的电压偏移。其次,上拉电阻器 RP 充当着下拉晶体管的漏极负载。因此,在相应上拉晶体管不提供输出电流的输出电压电平时,运算放大器的增益会降低。

TLV2322 TLV2324 使用阻性上拉来提高 VOH图 7-6 使用阻性上拉来提高 VOH
TLV2322 TLV2324 输出特性测试电路图 7-7 输出特性测试电路

TLV232x 的所有工作特性都是在 20pF 负载下测得的。该器件可驱动更高的电容负载。但是,随着输出负载电容增加,产生的响应极出现在较低频率下,进而导致振铃、峰值甚至振荡(请参阅图 7-7图 7-8)。在许多情况下,在反馈环路中增加串联电阻器形式的补偿可以缓解该问题。

TLV2322 TLV2324 电容负载的影响图 7-8 电容负载的影响