ZHCSYP6A February   1997  – July 2025 TLV2322 , TLV2324

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  功耗额定值
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  电气特性，TLV2322
    5. 5.5  TLV2322 工作特性，VDD = 3V
    6. 5.6  工作特性，TLV2322，VDD = 5V
    7. 5.7  电气特性，TLV2324
    8. 5.8  工作特性，TLV2324，VDD = 3V
    9. 5.9  工作特性，TLV2324，VDD = 5V
    10. 5.10 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 单电源与双电源测试电路
    2. 6.2 输入偏置电流
    3. 6.3 低电平输出电压
    4. 6.4 输入偏移电压温度系数
    5. 6.5 全功率响应
    6. 6.6 测试时间
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 单电源供电
      2. 7.1.2 输入特性
      3. 7.1.3 噪声性能
      4. 7.1.4 反馈
      5. 7.1.5 静电放电保护
      6. 7.1.6 闩锁效应
      7. 7.1.7 输出特性
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.1.2 输入特性

指定了 TLV232x 的最小和最大输入电压，如果任一输入端超过该电压，可能会导致器件故障。超出此指定范围是一种常见问题，尤其是在单电源供电时。范围下限包括负电源轨，而上限指定为 VDD – 1V（TA = 25°C 时）和 VDD – 1.2V（所有其他温度下）。

多晶硅栅极工艺的使用和精心设计的输入电路，使传统 TLV232x 与传统金属栅极工艺相比具有非常好的输入偏移电压漂移特性。CMOS 器件中的偏移电压漂移在很大程度上受到植入氧化物中的磷掺杂剂极化引起的阈值电压漂移的影响。将磷掺杂剂置于导体（如多晶硅栅极）中可缓解极化问题，从而使阈值电压漂移降低一个数量级以上。偏移电压随时间的漂移计算值通常为 0.1µV/月，包括运行的第一个月。

通过从传统的 150mm LinCMOS 工艺迁移到 300mm 直径晶圆工艺，输入偏移电压精度、转换率、相位裕度、输出电流驱动能力和高电平输出电压得到了相关改进。然而，这一改变引入了一个新的交叉区域，在该区域中，当输入共模电压接近 VDD 导轨时，输入偏移电压将会发生漂移（通常为 300µV–400µV）。图 7-2 和图 7-3 绘制了该特性在各种温度和 5V 电源下的平均值和标准偏差。

TLV2322 TLV2324 偏移电压与输入共模电压间的关系图 7-2 偏移电压与输入共模电压间的关系
TLV2322 TLV2324 偏移电压与输入共模电压间的关系图 7-3 偏移电压与输入共模电压间的关系

由于极高的输入阻抗和由此产生的低偏置电流要求，TLV232x 是低电平信号处理的绝佳选择。但是，印刷电路板和插座上的泄漏电流有时很容易超过偏置电流要求，且会导致器件性能下降。最佳实践是在输入端周围添加防护环（类似于参数测量信息一节中图 6-4 的防护环）。在与共模输入相同的电压电平下，从低阻抗源驱动这些防护装置（请参阅图 7-4）。

将任何未使用的放大器的输入端接地，以避免可能的振荡。

TLV2322 TLV2324 防护环方案图 7-4 防护环方案