ZHCSYI3A July   2025  – July 2026 MSPM0H3215-Q1 , MSPM0H3216-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      10
    3. 6.3 信号说明
      1.      12
      2.      13
      3.      14
      4.      15
      5.      16
      6.      17
      7.      18
      8.      19
      9.      20
      10.      21
      11.      22
      12.      23
      13.      24
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3   建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 高频晶体/时钟
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 ADC
      1. 7.11.1 电气特性
      2. 7.11.2 开关特性
      3. 7.11.3 线性参数
      4. 7.11.4 典型连接图
    12. 7.12 温度传感器
    13. 7.13 VREF
      1. 7.13.1 电压特性
      2. 7.13.2 电气特性
    14. 7.14 I2C
      1. 7.14.1 I2C 特性
      2. 7.14.2 I2C 滤波器
      3. 7.14.3 I2C 时序图
    15. 7.15 SPI
      1. 7.15.1 SPI
      2. 7.15.2 SPI 时序图
    16. 7.16 UART
    17. 7.17 TIMx
    18. 7.18 仿真和调试
      1. 7.18.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0H321x)
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA_B
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 安全性
    17. 8.17 CRC
    18. 8.18 UART
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 I2C
    21. 8.21 低频子系统 (LFSS)
    22. 8.22 RTC_B
    23. 8.23 IWDT_B
    24. 8.24 WWDT
    25. 8.25 计时器 (TIMx)
    26. 8.26 器件模拟连接
    27. 8.27 输入/输出图
    28. 8.28 串行线调试接口
    29. 8.29 DEBUGSS
    30. 8.30 器件出厂常量
    31. 8.31 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.10.1 电气特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VIH 高电平输入电压 VDD≥4.5V 0.7*VDD VDD V
VIL 低电平输入电压 VDD≥4.5V -0.3 0.3*VDD V
VHYS 迟滞 0.1*VDD V
Ilkg 高阻态漏电流 HSIO(1) VDD = 5.5V 0.79(4) uA
高阻态漏电流（除 PA1、PA28 之外的所有引脚） SDIO(2)(3) VDD = 5.5V 0.42(4)
高阻态漏电流（PA1、PA28） SDIO(2)(3) VDD = 5.5V 2.0
RPU 上拉电阻 VIN = VSS 40 kΩ
CI 输入电容 VDD = 5V 20 pF
VOH 高电平输出电压 HSIO VDD ≥ 4.5V，|IIO|,max=6mA VDD-0.4 V
高电平输出电压 SDIO VDD ≥ 4.5V，|IIO|,max = 3mA VDD-0.4
VOL 低电平输出电压 HSIO VDD ≥ 4.5V，|IIO|,max=6mA 0.4 V
低电平输出电压 SDIO VDD ≥ 4.5V，|IIO|,max = 3mA 0.4
(1) I/O 类型：SDIO = 标准驱动 (8MHz)，HSIO = 高速 (16MHz)
(2) 除非另有说明，否则漏电流是在将 VSS 或 VDD 施加到相应引脚的情况下测量的。
(3) 数字端口引脚的漏电流单独测量。为输入选择端口引脚，而且上拉/下拉电阻器被禁用。
(4) 此值适用于 IO 不与任何模拟输入进行多路复用的情况。如果 IO 与模拟输入进行多路复用，则漏电流会更高。