ZHCSYI3A July   2025  – July 2026 MSPM0H3215-Q1 , MSPM0H3216-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      10
    3. 6.3 信号说明
      1.      12
      2.      13
      3.      14
      4.      15
      5.      16
      6.      17
      7.      18
      8.      19
      9.      20
      10.      21
      11.      22
      12.      23
      13.      24
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3   建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 POR 和 BOR
      2. 7.6.2 电源斜坡
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 高频晶体/时钟
      4. 7.9.4 低频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 ADC
      1. 7.11.1 电气特性
      2. 7.11.2 开关特性
      3. 7.11.3 线性参数
      4. 7.11.4 典型连接图
    12. 7.12 温度传感器
    13. 7.13 VREF
      1. 7.13.1 电压特性
      2. 7.13.2 电气特性
    14. 7.14 I2C
      1. 7.14.1 I2C 特性
      2. 7.14.2 I2C 滤波器
      3. 7.14.3 I2C 时序图
    15. 7.15 SPI
      1. 7.15.1 SPI
      2. 7.15.2 SPI 时序图
    16. 7.16 UART
    17. 7.17 TIMx
    18. 7.18 仿真和调试
      1. 7.18.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能 (MSPM0H321x)
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA_B
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 VREF
    16. 8.16 安全性
    17. 8.17 CRC
    18. 8.18 UART
    19. 8.19 SPI
    20. 8.20 I2C
    21. 8.21 低频子系统 (LFSS)
    22. 8.22 RTC_B
    23. 8.23 IWDT_B
    24. 8.24 WWDT
    25. 8.25 计时器 (TIMx)
    26. 8.26 器件模拟连接
    27. 8.27 输入/输出图
    28. 8.28 串行线调试接口
    29. 8.29 DEBUGSS
    30. 8.30 器件出厂常量
    31. 8.31 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.8.1 内存组织

表 8-5 总结了各个器件的存储器映射。有关存储器区域详情的更多信息，请参阅 MSPM0 H 系列 32MHz 微控制器技术参考手册中的平台存储器映射部分。

表 8-5 内存组织
内存区域 子区域 MSPM0H3215 MSPM0H3216
代码（闪存） 闪存

32KB(1)

0x0000.0000 至 0x0000.7FFF

64KB(1)

0x0000.0000 至 0x0000.FFFF
SRAM (SRAM) SRAM

8KB

0x2000.0000 至 0x2000.1FFF

8KB

0x2000.0000 至 0x2000.1FFF
外设 外设 0x4000.0000 至 0x40FF.FFFF 0x4000.0000 至 0x40FF.FFFF
闪存 0x0040.0000 至 0x0040.7FFF 0x0040.0000 至 0x0040.FFFF
NONMAIN (2)

512 字节

0x41C0.0000 至 0x41C0.07FF

512 字节

0x41C0.0000 至 0x41C0.07FF
FACTORY 0x41C4.0000 至 0x41C4.03FF 0x41C4.0000 至 0x41C4.03FF
子系统 0x6000.0000 至 0x7FFF.FFFF 0x6000.0000 至 0x7FFF.FFFF
系统 PPB 0xE000.0000 至 0xE00F.FFFF 0xE000.0000 至 0xE00F.FFFF
(1) 第一个 32KB 闪存存储器（地址 0x0000.0000 至 0x0000.8000）具有高达 100000 个编程/擦除周期。
(2) 如果未使用有效配置对该区域进行重新编程，则修改 NONMAIN 配置区域可能会导致器件永久锁定。有效配置必须包含准确的 CRC 值和适当的调试策略，以保持对器件的访问权限。