ZHCSY19 March   2025 TPSI3050M

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  使能状态的传输
      2. 7.3.2  功率传输
      3. 7.3.3  栅极驱动器
      4. 7.3.4  模式概述
      5. 7.3.5  三线模式
      6. 7.3.6  两线模式
      7. 7.3.7  VDDP、VDDH 和 VDDM 欠压锁定 (UVLO)
      8. 7.3.8  禁止电路
      9. 7.3.9  电源和 EN 时序
      10. 7.3.10 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 两线或三线模式选择
        2. 8.2.2.2 CDIV1、CDIV2 电容
        3. 8.2.2.3 RPXFR 选择
        4. 8.2.2.4 CVDDP 电容
        5. 8.2.2.5 栅极驱动器输出电阻器
        6. 8.2.2.6 启动时间和恢复时间
        7. 8.2.2.7 从 VDDM 提供辅助电流 IAUX
        8. 8.2.2.8 VDDM 纹波电压
      3. 8.2.3 应用曲线
      4. 8.2.4 绝缘寿命
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.9 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）。TA = 25℃ 时的典型值。CVDDP = 220nF，CDIV1 = CDIV2 = 3.3nF，CVDRV = 100pF，RPXFR = 7.32kΩ ±1% 
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
COMMON
VVDDP_UV_R VDDP 欠压阈值上升 VDDP 上升 2.50 2.70 2.90 V
VVDDP_UV_F VDDP 欠压阈值下降 VDDP 下降 2.35 2.55 2.75 V
VVDDP_UV_HYS VDDP 欠压阈值迟滞 75 mV
TSD 关断温度 173 ℃
TSDH 关断温度迟滞 32 ℃
VVDDH_UV_R VDDH 欠压阈值上升 VDDH 上升。 8.3 8.6 9.0 V
VVDDH_UV_F VDDH 欠压阈值下降 VDDH 下降。 6.3 6.6 6.9 V
VVDDH_UV_HYS VDDH 欠压阈值迟滞
 		 2 V
IQ_VDDH VDDH 电源的内部静态电流。 36 µA
RDSON_VDRV 低电平状态下的驱动器导通电阻 强制 VVDDH = 10V，
灌电流 IVDRV = 50mA。		 1.7 Ω
高电平状态下的驱动器导通电阻 强制 VVDDH = 10V，
拉电流 IVDRV = 50mA。		 2.5 Ω
IVDRV_PEAK VDRV 在上升期间的峰值输出电流 稳态下的 VVDDH，
将 EN 从低电平转换为高电平，
测量峰值电流。
 1.5 A
VDRV 在下降期间的峰值输出电流 稳态下的 VVDDH，
EN 从高电平转换为低电平，
测量峰值电流。
 3 A
CMTI 共模瞬态抗扰度 |VCM| = 1000V 100 V/ns
两线模式
VIH_EN EN 上检测为有效逻辑高电平的最小电压 6.5 V
VIL_EN EN 上被检测为有效逻辑低电平的最大电压 2.0 V
IEN_START 启动时的使能电流 EN = 0V → 6.5V 27 mA
IEN 稳态使能电流 EN = 6.5V，
RPXFR = 7.32kΩ，
RPXFR ≥100kΩ 或 RPXFR ≤1kΩ，
VVDDH 处于稳态。		 1.9 mA
EN = 6.5V，
RPXFR = 20kΩ，
VVDDH 处于稳态。		 6.8 mA
VVDDP_RIPPLE VDDP 输出电压纹波 EN = 6.5V，VVDDH 处于稳态。 600 mV
VVDDH VDDH 输出电压 EN = 6.5V，
VVDDH 处于稳态。		 9.4 10.2 11 V
VVDRV_H 被驱动为高电平的 VDRV 输出电压 EN = 6.5V，
VVDDH 处于稳态，
无直流负载。		 9.4 10.2 11 V
VVDRV_L 被驱动为低电平的 VDRV 输出电压 EN = 6.5V → 0V，
VVDDH 处于稳态，
灌电流 10mA 负载。		 0.1 V
VVDDM_IAUX 拉取外部电流时的平均 VDDM 电压 EN = 6.5V，稳态.
RPXFR = 7.32kΩ，
RPXFR ≥ 100kΩ 或 RPXFR ≤ 1kΩ，
CDIV1 = CDIV2 = 220nF，

来自 VDDM 的拉电流 0.4mA，
测量 VDDM 电压。		 4.6 5.5 V
EN = 6.5V，稳态。
RPXFR = 20kΩ，
CDIV1 = CDIV2 = 220nF，

来自 VDDM 的拉电流 1.7mA，
测量 VDDM 电压。		 4.6 5.5 V
三线模式
VIH_EN EN 上检测为有效逻辑高电平的最小电压。  VIH(min) = 0.7 × VVDDP
 		 VVDDP = 3V 2.1 V
VVDDP = 5.5V 3.85 V
VIL_EN EN 上被检测为有效逻辑低电平的最大电压 VVDDP = 3V 0.9 V
VVDDP = 5.5V 1.65 V
IVDDP 稳态下的 VDDP 平均电流 EN = 3.3V，
VVDDP = 3.3V，
RPXFR = 7.32kΩ，
RPXFR ≥ 100kΩ 或 RPXFR ≤ 1kΩ，
VVDDH 处于稳态，
测量 IVDDP。		 3.1 mA
EN = 3.3V，
VVDDP = 3.3V，
RPXFR = 20kΩ
VVDDH 处于稳态，
测量 IVDDP。		 26
EN = 5V，
VVDDP = 5V，
RPXFR = 7.32kΩ，
RPXFR ≥ 100kΩ 或 RPXFR ≤ 1kΩ，
VVDDH 处于稳态，
测量 IVDDP。		 4.8 mA
EN = 5V，
VVDDP = 5V，
RPXFR = 20kΩ，
VVDDH 处于稳态，
测量 IVDDP。		 37 mA
VVDDM_IAUX 拉取外部电流时的平均 VDDM 电压 VVDDP = 3.3V，EN = 0V，稳态，
RPXFR = 7.32kΩ，
CDIV1 = CDIV2 = 220nF，

来自 VDDM 的拉电流 0.4mA，
测量 VVDDM。		 4.6 5.5 V
VVDDP = 5.0V，EN = 0V，稳态，
RPXFR = 7.32kΩ，
CDIV1 = CDIV2 = 220nF，

来自 VDDM 的拉电流 1.0mA，
测量 VVDDM。		 4.6 5.5 V
VVDDP = 3.3V，EN = 0V，稳态，
RPXFR =20kΩ，
CDIV1 = CDIV2 = 220nF，

来自 VDDM 的拉电流 5.5mA，
测量 VVDDM。		 4.6 5.5 V
VVDDP = 5.0V，EN = 0V，稳态，
RPXFR = 20kΩ，
CDIV1 = CDIV2 = 220nF，

来自 VDDM 的拉电流 10mA，
测量 VVDDM。		 4.6 5.5 V
VVDDH VDDH 输出电压 VVDDP = 3.0V，
EN = 3.0V，
VVDDH 处于稳态。		 9.4 10.2 11 V
VVDRV_H 被驱动为高电平的 VDRV 输出电压 VVDDP = 3.0V，
EN = 3.0V，
VVDDH 处于稳态，无直流负载。		 9.4 10.2 11 V
VVDRV_L 被驱动为低电平的 VDRV 输出电压 VVDDP = 3.0V，
EN = 0V，
VVDDH 处于稳态，
VDRV 灌电流 10mA。		 0.1 V