ZHCSY19 March   2025 TPSI3050M

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  功率等级
    6. 5.6  绝缘规格
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 绝缘特性曲线
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  使能状态的传输
      2. 7.3.2  功率传输
      3. 7.3.3  栅极驱动器
      4. 7.3.4  模式概述
      5. 7.3.5  三线模式
      6. 7.3.6  两线模式
      7. 7.3.7  VDDP、VDDH 和 VDDM 欠压锁定 (UVLO)
      8. 7.3.8  禁止电路
      9. 7.3.9  电源和 EN 时序
      10. 7.3.10 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 两线或三线模式选择
        2. 8.2.2.2 CDIV1、CDIV2 电容
        3. 8.2.2.3 RPXFR 选择
        4. 8.2.2.4 CVDDP 电容
        5. 8.2.2.5 栅极驱动器输出电阻器
        6. 8.2.2.6 启动时间和恢复时间
        7. 8.2.2.7 从 VDDM 提供辅助电流 IAUX
        8. 8.2.2.8 VDDM 纹波电压
      3. 8.2.3 应用曲线
      4. 8.2.4 绝缘寿命
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

7.3.8 禁止电路

TPSI3050M 包含输出驱动器上的禁止电路。禁止电路的目的是将栅极电压钳位在可接受的电平以下，以防止外部电源开关在次级电源轨未供电时导通。禁止电路可用于替代或大幅降低外部电源开关上外部释放电阻器的要求。

图 7-5 显示了禁止电路的简化原理图。晶体管 MP1 和 MN1 构成了提供栅极电流来驱动外部电源开关 (M1) 的驱动器。当次级侧未供电时，从 MN1 的漏极连接到栅极的 1MΩ 电阻器形成 NMOS 二极管配置。任何通过 M1 寄生栅漏和栅源电容耦合到 VDRV 信号的外部耦合都可能导致 VDRV 信号上升。MN1 的二极管配置会灌入该电流，以防止 VDRV 上升过高，从而将 VDRV 钳位到 VACT_CLAMP。这足以使大多数电源开关保持关断状态。如果需要，还可以在 M1 的栅源之间放置一个额外的电阻（约为 250kΩ 或更高）。请注意，所施加的任何电阻在正常运行时都需要次级电源供电，总体功率预算中应考虑这一点。

除了 MN1 二极管钳位之外，MP1 的体二极管还有助于吸收任何耦合到 VDRV 的电流。对于大多数应用，等效电容 Ceq（CDIV1 和 CDIV2 的串联组合）通常约为数百纳法拉。如果功率传输停止一段时间，该电容会完全放电至 VSSS，并通过连接至 VDDH 的 MP1 的体二极管将 VDRV 二极管钳位至 VSSS 以上。通过 M1 寄生栅漏和栅源电容耦合到 VDRV 信号的任何外部耦合都被 Ceq 吸收，从而更大限度减少 VDRV 上的电压上升。

TPSI3050M 禁止电路图 7-5 禁止电路