图 7-3 展示了两线模式运行所需的基本设置，其中需要 EN 信号和 VSSP 接地信号。EN 最高可驱动至 48V。由于 TPSI3050M 根据 R_PXFR 电阻器设置的值来限制输入电流，因此 EN 上不需要限流电阻器（请参阅表 7-2）。在该示例中，TPSI3050M 用于驱动采用共源极配置的背对背 MOSFET。C_VDDP 为器件的 VDDP 电源轨提供所需的去耦电容。C_DIV1 和 C_DIV2 提供 VDDH/VDDM 电源轨所需的去耦电容，以提供峰值电流来驱动外部 MOSFET。

图 7-4 显示了两线模式下的典型工作方式。此应用将 EN 驱动至逻辑高电平，并且 TPSI3050M 开始其加电序列。在上电过程中，EN 引脚提供的电流 I_EN 开始对外部电容 C_VDDP 充电，VDDP 上的电压开始上升，直至达到 V_{VDDP_H}。在 VDDP 达到峰值 V_{VDDP_H} 后，TPSI3050M 将 C_VDDP 上存储的能量传输到次级侧并持续固定时间（典型值为 3.3μs），由此开始对 VDDH（和 VDDM）次级侧电源轨充电，从而使 VDDP 上的电压放电。在稳态下，这会产生 VDDP 上的平均电压 V_{VDDP_AVG}。该周期会重复，直到 VDDH（和 VDDM）次级侧电源轨充满电。VDDH 完全充电所需的时间取决于多个因素，包括 C_VDDP、C_DIV1、C_DIV2、R_PXFR 的值，以及总体功率传输效率。VDDH 完全充电后，VDRV 被置为高电平并保持高电平，同时 EN 引脚保持逻辑高电平。当应用将 EN 引脚驱动至逻辑低电平时，VDDP 上的电荷开始放电。在 VDDP 达到其 UVLO 下降阈值之前，TPSI3050M 从初级侧到次级侧发送信息，以使 VDRV 无效并将其驱动为低电平。由于不再传输功率，因此所有电源轨开始完全放电。

图 7-3 两线模式简化版原理图

图 7-4 两线模式

在两线模式下，直接由 EN 引脚供电。当 EN 被置为高电平时，TPSI3050M 在时间周期变化时将功率传输到次级侧并持续固定的时间（标称值 3.3μs）。由于功率传输的迟滞控制（其可确保通过 EN 引脚提供的平均电流保持不变），因此该周期会变化。从 PXFR 到 VSSP 引脚选择七个合适电阻值中的一个电阻值 R_PXFR，可对平均电流的大小以及传输的功率量进行设定。R_PXFR 的更高设置会将 I_EN 增大，这会增加 EN 引脚的平均功耗并增加传输到次级侧 VDDH 电源的功率。同样，R_PXFR 的较低设置会降低 I_EN，从而降低 EN 引脚消耗的平均功率，并减少传输到次级侧的功率。

表 7-2 总结了两线模式电源选择。