ZHCSXM2A December   2024  – April 2025 TMP118

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 两线制接口时序
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 数字温度输出
      2. 7.3.2 均值计算
      3. 7.3.3 温度比较器和迟滞
      4. 7.3.4 应力耐受性
      5. 7.3.5 NIST 可追溯性
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 连续转换模式
      2. 7.4.2 单次触发模式 (OS)
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 和 SMBus 接口
        1. 7.5.1.1 串行接口
          1. 7.5.1.1.1 总线概述
          2. 7.5.1.1.2 器件地址
          3. 7.5.1.1.3 写入和读取操作
            1. 7.5.1.1.3.1 写入
            2. 7.5.1.1.3.2 读取
          4. 7.5.1.1.4 通用广播复位功能
          5. 7.5.1.1.5 超时功能
          6. 7.5.1.1.6 I3C 混合总线上共存
  9. 8 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1 Temp_Result 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
      2. 8.1.2 配置寄存器（地址 = 01h）[复位 = 60B0h]
      3. 8.1.3 TLow_Limit 寄存器（地址 = 02h）[复位 = 2580h]
      4. 8.1.4 THigh_Limit 寄存器（地址 = 03h）[复位 = 2800h]
      5. 8.1.5 器件 ID 寄存器（地址 = 0Bh）[复位 = 1180h]
      6. 8.1.6 Unique_ID0 寄存器（地址 = 0Ch）[复位 = xxxxh]
      7. 8.1.7 Unique_ID1 寄存器（地址 = 0Dh）[复位 = xxxxh]
      8. 8.1.8 Unique_ID2 寄存器（地址 = 0Eh）[复位 = xxxxh]
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 单独的 I2C 上拉和电源应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
      2. 9.2.2 相同的 I2C 上拉和电源电压应用
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

6.6 两线制接口时序

在自然通风条件下的温度范围内且 VDD = 1.4V 至 5.5V，TA = -40°C 至 125°C（除非另有说明）
标准 快速模式 超快速模式 单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
f(SCL) SCL 运行频率 1 100 100 400 400 1000 kHz
t(BUF) 停止和启动条件之间的总线空闲时间 4.7 1.3 0.5 µs
t(SUSTA) 重复启动条件建立时间 4.7 0.6 0.26 µs
t(HDSTA) 重复启动条件后的保持时间。
在此周期后，生成第一个时钟。		 4.0 0.6 0.26 µs
t(SUSTO) 停止条件建立时间 4.0 0.6 0.26 µs
t(HDDAT) 数据保持时间(1) 0 0 0 ns
t(SUDAT) 数据建立时间 250 100 50 ns
t(LOW) SCL 时钟低电平周期 4.7 1.3 0.5 µs
t(HIGH) SCL 时钟高电平周期 4.0 0.6 0.26 µs
t(VDAT) 数据有效时间（数据响应时间）(2) 3.45 0.9 0.45 µs
tR SDA 和 SCL 上升时间 1000 20 300 120 ns
tF SDA 和 SCL 下降时间 300 300 120 ns
ttimeout Timeout 30 30 30 ms
tLPF 毛刺信号抑制滤波器 50 50 50 ns
(1) 对于快速模式，t(HDDAT) 最大值为 0.9µs，比 t(VDAT) 最大值要小一个转换时间。
(2) t(VDAT) = 数据信号从 SCL 低电平到 SDA 输出（高电平到低电平，以更差的情况为准）的时间。