ZHCSWR0A July   2024  – October 2024 LMG2100R026

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

5.5 电气特性

电压以 AGND 为基准；-40℃ ≤ TJ ≤ 125℃（除非另有说明）(1)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
功率级
RDS(ON)HS 高侧 GaN FET 导通电阻 LI = 0V，HI = VCC = 5V，HB-HS = 5V，I(VIN-SW) = 16A，TJ = 25℃ 2.7 3.5 mΩ
RDS(ON)LS 低侧 GaN FET 导通电阻 LI = VCC = 5V，HI = 0V，HB-HS = 5V，I(SW-PGND) = 16A，TJ = 25℃ 2.6 3.5 mΩ
VSD GaN 第三象限导通压降 ISD = 500mA，VIN 悬空，VCC = 5V，HI = LI = 0V 1.5 V
IL-VIN-SW 高侧 GaN FET 和低侧 GaN FET 关断时从 VIN 到 SW 的漏电流 VIN = 80V，SW = 0，HI = LI = 0V，VCC = 5V，TJ = 25℃ 10 160 µA
IL-SW-GND 高侧 GaN FET 和低侧 GaN FET 关断时从 SW 到 GND 的漏电流 SW = 80V，HI = LI = 0V，VCC = 5V，TJ = 25℃ 10 160 µA
CISS 高侧或低侧 HEMT 的输入电容 VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 1686 pF
COSS 高侧 GaN FET 或低侧 GaN FET 的输出电容 VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 570 790 pF
COSS(ER) 高侧 GaN FET 或低侧 GaN FET 的输出电容 - 能量相关 VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 700 pF
COSS(TR) 高侧 GaN FET 或低侧 GaN FET 的输出电容 - 时间相关 VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 881 pF
CWELL 高压阱电容（SW 至 PGND） VIN = VSW = 50V，HI = LI = 0V 30 pF
CRSS 高侧或低侧 HEMT 的反向传输电容 VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) 4.3 pF
QG 高侧或低侧 HEMT 的总栅极电荷 VDS = 50V，ID = 16A，VGS = 5V 12 15.8 nC
QGD 高侧或低侧 HEMT 的栅漏极电荷 VDS = 50V，ID = 16A 1.2 nC
QGS 高侧或低侧 HEMT 的栅源极电荷 VDS = 50V，ID = 16A 3.9 nC
QOSS 输出电荷（高侧 HEMT、低侧 HEMT 和栅极驱动器高压阱电荷的总和）  VDS = 50V，ID = 16A 90 115 nC
QRR 源极至漏极反向恢复电荷 不包括内部驱动器自举二极管 0 nC
tHIPLH 传播延迟：HI 上升(2) LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 35 55 ns
tHIPHL 传播延迟：HI 下降(2) LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 33 55 ns
tLPLH 传播延迟：LI 上升(2) HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 35 55 ns
tLPHL 传播延迟：LI 下降(2) HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V 33 55 ns
tMON 延迟匹配：LI 高和 HI 低(2) 2 10 ns
tMOFF 延迟匹配：LI 低和 HI 高(2) 2 10 ns
tPW 可改变输出的最小输入脉冲宽度 10 ns
输入引脚
VIH 高电平输入电压阈值 上升沿 1.87 2.06 2.22 V
VIL 低电平输入电压阈值 下降沿 1.48 1.66 1.76 V
VHYS 上升和下降阈值之间的迟滞 400 mV
RI 输入下拉电阻 100 200 300 kΩ
欠压保护
VCCR VCC 上升沿阈值 上升 3.2 3.8 4.5 V
VCCF VCC 下降沿阈值 3.0 3.6 4.3 V
VCC(hyst) VCC UVLO 阈值迟滞 210 mV
VHBR HB 上升沿阈值 上升 2.5 3.2 3.9 V
VHBF HB 下降沿阈值 2.3 3.0 3.7 V
VHB(hyst) HB UVLO 阈值迟滞 210 mV
自举二极管
VDL 低电流正向电压 IHB-HS = 100µA 0.45 0.7 V
VDH 高电流正向电压 IHB-HS= 100mA 0.9 1.0 V
RD 动态电阻 IHB-HS= 100mA 1.85 Ω
HB-HS 钳位 稳压电压 4.65 5 5.2 V
tBS 自举二极管反向恢复时间 IF = 100mA，IR = 100mA 40 ns
QRR 自举二极管反向恢复电荷 VVIN = 50V 2 nC
电源电流
ICC VCC 静态电流 LI = HI = 0V，VCC = 5V 0.09 0.2 mA
ICC VCC 静态电流 LI=VCC=5V，HI=0V 0.26 5 mA
ICCO 总 VCC 工作电流 f = 500kHz，50% 占空比，VIN = 48V 12 15 mA
IHB HB 静态电流 LI = HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 4.6V 0.1 0.2 mA
IHB HB 静态电流 LI=0V，HI=VCC=5V，HB-HS=4.6V 0.16 4.5 mA
IHBO HB 工作电流 f = 500kHz，50% 占空比，VCC = 5V，HB-HS = 4.6V 5.6 8 mA
(1) 仅显示典型值的参数通过设计确定，可能未在生产中进行测试
(2) 请参阅传播延迟和失配测量 部分