ZHCSWR0A July   2024  – October 2024 LMG2100R026

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

8.2.2.2 自举电容器

自举电容器为高侧栅极驱动器提供栅极电荷，为 HB UVLO 电路提供直流偏置电源，并为自举二极管提供反向恢复电荷。可使用方程式 2 计算所需的旁路电容。

方程式 2. CBST = (QG + QRR + IHB × tON(max)) / ΔV

其中

  • IHB 是高侧栅极驱动器的静态电流
  • tON(maximum) 是高侧栅极驱动器的最大导通时间
  • QRR 是自举二极管的反向恢复电荷
  • QG 是高侧 GaN FET 的栅极电荷
  • ΔV 是自举电容器中允许的纹波（< 100mV，典型值）

0.1μF、16V、0402 陶瓷电容器适用于大多数应用。请将自举电容器尽可能靠近 HB 和 HS 引脚放置。