ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
图 8-7 和图 8-8 的横截面中所示的布局显示了器件相对于敏感无源器件(如 VIN、自举电容器(HS 和 HB)以及 VSS 电容器)的建议布局。在布局中应留出适当的间距,以减小爬电距离,并根据应用污染级别满足间隙要求。由于污染可忽略,内层(如果存在)的间隔可以更紧密。
布局的设计必须尽可能减小 SW 节点的电容。使用尽可能小的覆铜面积将器件 SW 引脚连接到电感器、变压器或其他输出负载。此外,还要确保接地平面或任何其他铜平面具有切口,以免与 SW 节点重叠,因为这将有效地在印刷电路板上形成电容器。该节点上的额外电容会降低 LMG2100R026 先进封装技术的优势,并可能导致性能下降。
由于电源环路电感较大,建议不要将双层电路板与 LMG2100R026 器件一起使用。但是,如果设计注意事项中只允许两个电路板层,请将输入去耦电容器直接放置在电路板背面的器件后方,以更大限度降低环路电感。图 8-9 和图 8-10 展示了双层电路板的布局示例。