ZHCSWR0A July   2024  – October 2024 LMG2100R026

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

7.3 特性说明

通过 LMG2100R026 器件可以轻松设计高功率密度电路板，无需底层填料，同时仍能满足爬电距离和间隙要求。高侧栅极驱动器和低侧栅极驱动器之间的传播延迟相匹配，可实现对死区时间的严格控制。在基于 GaN 的应用中，控制死区时间对于保持高效率至关重要。为了更大限度地减少硬开关式降压转换器低侧 FET 的第三象限导通，可以独立控制 HI 和 LI。对于下降阈值和上升阈值，HI 和 LI 与驱动器之间的传播匹配度均极高，可确保死区时间小于 10ns。将 GaN FET 半桥与驱动器的共同封装可确保尽可能降低共源电感。尽可能降低此电感对硬开关式拓扑的性能有显著影响。

带钳位功能的内置自举电路可防止高侧栅极驱动器超过 GaN FET 的最大栅源电压 (Vgs)，无需使用任何额外的外部电路。内置驱动器在 VCC 和自举 (HB-HS) 电源轨上具有欠压锁定 (UVLO) 功能。当电压低于 UVLO 阈值电压时，器件会忽略 HI 和 LI 信号，以防止 GaN FET 发生部分导通。在 UVLO 以下，如果电压足够 (VVCC > 2.5V)，驱动器会主动将高侧和低侧栅极驱动器输出拉至低电平。200mV 的 UVLO 阈值迟滞可防止电压尖峰引起的抖动和意外导通。应使用容值为 0.1µF 或更高的外部 VCC 旁路电容器。为更大限度缩短与引脚之间的布线长度，TI 建议使用 0402 尺寸。为更大限度减少寄生电感，应将旁路电容器和自举电容器尽可能靠近器件放置。