ZHCSWR0A July   2024  – October 2024 LMG2100R026

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 传播延迟和失配测量
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制输入
      2. 7.3.2 启动和 UVLO
      3. 7.3.3 自举电源电压钳位
      4. 7.3.4 电平转换
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 VCC 旁路电容器
        2. 8.2.2.2 自举电容器
        3. 8.2.2.3 压摆率控制
        4. 8.2.2.4 功率耗散
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

4 引脚配置和功能

图 4-1 VBN 封装，18 引脚 VQFN（顶视图）
表 4-1 引脚功能
引脚 I/O(1) 说明
名称 编号
NC 1–4、8、9、16 — 内部未连接。保持悬空。
SW 5 P 开关节点。在内部连接到 HS 引脚。
PGND 6、17、18 G 电源地。低侧 GaN FET 源极。内部连接到低侧 GaN FET 源极。
VIN 7 P 输入电压引脚。内部连接到高侧 GaN FET 漏极。
HB 10 P 高侧栅极驱动器自举电源轨。将旁路电容器连接到 HS。
HS 11 P 高侧 GaN FET 源极连接。
HI 12 I 高侧栅极驱动器控制输入。
LI 13 I 低侧栅极驱动器控制输入。
VCC 14 P 5V 器件电源。
AGND 15 G 模拟地。内部连接到低侧 GaN FET 源极。
(1) I = 输入，O = 输出，G = 地，P = 电源