ZHCSTT3 March 2025 TPS2HC120-Q1
PRODUCTION DATA
断开电感负载时,电感电抗会导致输出电压趋于负值。过高的负电压可能导致功率 FET 损坏。为了保护功率 FET,器件在漏极和源极之间实现了内部钳位功能,即 VDS(clamp)。

在消磁期间 (tdecay),功率 FET 导通以进行电感能量耗散。总能量在高侧开关中耗散。总能量包括电源的能量 (E(VS)) 和负载的能量 (E(load))。如果电阻与电感串联,则部分负载能量会在电阻中耗散。

当电感负载关断时,E(HSS) 会在器件上引起高热应力。功率耗散的上限取决于器件的固有容量、环境温度和电路板耗散条件。
图 7-10 漏源钳位结构
图 7-11 电感负载关断图从高侧开关的角度来看,E(HSS) 等于消磁期间的积分值。

当 R 大概等于 0 时,E(HSD) 可以简单地表示为:

请注意,对于 PWM 控制的电感负载,建议添加如图 7-12 所示的外部续流电路,以保护器件免受重复性功率应力的影响。TVS 用于实现快速衰减。有关更多详细信息,请参阅图 7-12。
图 7-12 通过外部电路提供保护