ZHCSSN7B December   2024  – December 2025 TLV2888 , TLV4888 , TLV888

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息：TLV888
    5. 5.5 热性能信息：TLV2888
    6. 5.6 热性能信息：TLV4888
    7. 5.7 电气特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入共模范围
      2. 6.3.2 相位反转保护
      3. 6.3.3 斩波瞬态
      4. 6.3.4 EMI 抑制
      5. 6.3.5 电过应力
      6. 6.3.6 多路复用器友好型输入
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 基本噪声计算
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 高侧电流检测
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 可编程电流源
      3. 7.2.3 用于接地负载的可编程电流源
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 8.1.1.2 TINA-TI™ 仿真软件（免费下载）
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

9 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (September 2025)to RevisionB (December 2025)

  • 将 TLV888 DBV (SOT-23, 5)、TLV4888 D (SOIC, 14) 和 PW (TSSOP, 14) 从预览版更改为量产数据（正在供货）Go
  • 已将 ESD 等级 中的人体放电模式值 (HBM) 从 ±1000V 更改为 ±4000VGo

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (December 2024)to RevisionA (September 2025)

  • 将 TLV888D D (SOIC) 和 TLV2888 DGK (VSSOP) 封装从预发布更改为量产数据（正在供货）Go
  • 更新了说明 中的应用电路Go
  • 更新了说明 中的失调电压温漂值，以更正拼写错误Go
  • 更新了 TLV2888（D，SOIC-8）热性能信息 Go
  • 向 TA = –40°C 至 +125°C 时的共模抑制比中添加了注释 1Go
  • 更新了 RLOAD = 2kΩ 测试条件的开环电压增益Go
  • 向 TA = –40°C 至+125°C 时的开环电压增益添加了注释 1Go
  • 向空载条件下相对于电源轨的电压输出摆幅添加了注释 1Go
  • 更新了空载条件下相对于电源轨的电压输出摆幅Go