ZHCSS25B November   2023  – July 2024 TPS548D26

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  内部 VCC LDO 以及在 VCC 和 VDRV 引脚上使用外部辅助电源
      2. 6.3.2  输入欠压锁定 (UVLO)
        1. 6.3.2.1 固定 VCC_OK UVLO
        2. 6.3.2.2 固定 VDRV UVLO
        3. 6.3.2.3 固定 PVIN UVLO
        4. 6.3.2.4 启用
      3. 6.3.3  设置输出电压
      4. 6.3.4  差分遥感和反馈分压器
      5. 6.3.5  启动和关断
      6. 6.3.6  环路补偿
      7. 6.3.7  设置开关频率和运行模式
      8. 6.3.8  开关节点 (SW)
      9. 6.3.9  过流限制和低侧电流检测
      10. 6.3.10 负过流限制
      11. 6.3.11 零交叉检测
      12. 6.3.12 输入过压保护
      13. 6.3.13 输出欠压和过压保护
      14. 6.3.14 过热保护
      15. 6.3.15 电源正常状态
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 强制连续导通模式
      2. 6.4.2 自动跳跃 Eco-mode 轻载运行模式
      3. 6.4.3 通过 12V 总线为该器件供电
      4. 6.4.4 通过双电源配置为该器件供电
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 应用
      2. 7.2.2 设计要求
      3. 7.2.3 详细设计过程
        1. 7.2.3.1 电感器选型
        2. 7.2.3.2 输入电容器选择
        3. 7.2.3.3 输出电容器选型
        4. 7.2.3.4 VCC 和 VRDV 旁路电容器
        5. 7.2.3.5 启动电容器选型
        6. 7.2.3.6 PG 上拉电阻选型
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
        1. 7.4.2.1 TPS548D26 评估板上的热性能
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

5.4 热性能信息

热性能指标(1) 器件 单位
RXX（QFN，JEDEC） RXX（QFN，TI EVM）
37 引脚 37 引脚
RθJA 结至环境热阻 25.4 15.7 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 3.6 不适用(2) °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 6.6 不适用(2) °C/W
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻 3.1 不适用(2) °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 0.1(3) 2.0(4) °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 3.6 5.7 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用报告。
(2) 热测试或仿真设置不适用于 TI EVM 布局。
(3) 根据 JEDEC 标准的热仿真结果，功率耗散均匀分布在封装内的所有硅区，使得热点处于封装的中心。
(4) 根据 TI EVM 布局的热仿真结果，功率耗散集中在功率 FET 区域，使得封装内部的热点发生偏移。