ZHCSQ48A March   2022  – April 2025 CC1311R3

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 功能方框图
  6. 器件比较
  7. 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图 – RGZ 封装(顶视图)
    2. 6.2 信号说明 – RGZ 封装
    3. 6.3 引脚图 – RKP 封装(顶视图)
    4. 6.4 信号说明 – RKP 封装
    5. 6.5 未使用的引脚和模块的连接
  8. 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  电源和模块
    5. 7.5  功耗 - 电源模式
    6. 7.6  功耗 - 无线电模式
    7. 7.7  非易失性(闪存)存储器特性
    8. 7.8  热阻特性
    9. 7.9  射频频带
    10. 7.10 861MHz 至 1054MHz - 接收 (RX)
    11. 7.11 861MHz 至 1054MHz - 发送 (TX) 
    12. 7.12 861MHz 至 1054MHz - PLL 相位噪声宽带模式
    13. 7.13 861MHz 至 1054MHz - PLL 相位噪声窄带模式
    14. 7.14 359MHz 至 527MHz - 接收 (RX)
    15. 7.15 359MHz 至 527MHz - 发送 (TX) 
    16. 7.16 359MHz 至 527MHz - PLL 相位噪声
    17. 7.17 时序和开关特性
      1. 7.17.1 复位时序
      2. 7.17.2 唤醒时间
      3. 7.17.3 时钟规格
        1. 7.17.3.1 48MHz 晶体振荡器 (XOSC_HF)
        2. 7.17.3.2 48MHz RC 振荡器 (RCOSC_HF)
        3. 7.17.3.3 32.768kHz 晶体振荡器 (XOSC_LF)
        4. 7.17.3.4 32kHz RC 振荡器 (RCOSC_LF)
      4. 7.17.4 同步串行接口 (SSI) 特性
        1. 7.17.4.1 同步串行接口 (SSI) 特性
        2.       40
      5. 7.17.5 UART
        1. 7.17.5.1 UART 特性
    18. 7.18 外设特性
      1. 7.18.1 ADC
        1. 7.18.1.1 模数转换器 (ADC) 特性
      2. 7.18.2 DAC
        1. 7.18.2.1 数模转换器 (DAC) 特性
      3. 7.18.3 温度和电池监测器
        1. 7.18.3.1 温度传感器
        2. 7.18.3.2 电池监测器
      4. 7.18.4 比较器
        1. 7.18.4.1 持续时间比较器
      5. 7.18.5 GPIO
        1. 7.18.5.1 GPIO 直流特性
    19. 7.19 典型特性
      1. 7.19.1 MCU 电流
      2. 7.19.2 RX 电流
      3. 7.19.3 TX 电流
      4. 7.19.4 RX 性能
      5. 7.19.5 TX 性能
      6. 7.19.6 ADC 性能
  9. 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  系统 CPU
    3. 8.3  无线电(射频内核)
      1. 8.3.1 专有无线电格式
    4. 8.4  存储器
    5. 8.5  加密
    6. 8.6  计时器
    7. 8.7  串行外设和 I/O
    8. 8.8  电池和温度监测器
    9. 8.9  电压电源域
    10. 8.10 µDMA
    11. 8.11 调试
    12. 8.12 电源管理
    13. 8.13 时钟系统
    14. 8.14 网络处理器
  10. 应用、实施和布局
    1. 9.1 参考设计
    2. 9.2 结温计算
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件命名规则
    2. 10.2 工具与软件
      1. 10.2.1 SimpleLink™ 微控制器平台
    3. 10.3 文档支持
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

结温计算

本节介绍了在各种运行条件下计算结温的不同技术。更多详细信息,请参阅半导体和 IC 封装热指标

建议通过三种方法根据其他测量温度得出结温:

  1. 根据封装温度:
    方程式 1. TJ=ψJT×P+Tcase
  2. 根据电路板温度:
    方程式 2. TJ=ψJB×P+Tboard
  3. 根据环境温度:
    方程式 3. TJ=RθJA×P+TA

P 是器件的功耗,可以通过电流消耗乘以电源电压来计算。热阻系数请参见热阻特性

示例:

使用 方程式 3 计算环境温度与结温之间的温差。在此示例中,一个简单的用例以 10dBm 输出功率连续传输无线电。假设环境温度为 85°C,电源电压为 3.6V。要计算 P,我们需要在 图 7-9 中查找 85°C 处 Tx 的电流消耗。从图中,我们看到电流消耗为 14.4mA。这意味着 P 为 14.4mA × 3.6V = 51.8mW

然后,通过以下公式计算结温:

方程式 4. TJ=23.4°CW×51.8mW+TA=1.2°C+TA

从示例中可以看出,在 85°C 下连续运行 Tx 时,结温比环境温度高出 1.2°C,因此完全符合建议的运行条件。

对于各种应用用例,可能必须添加其他模块的电流消耗才能计算相应的功耗。例如,MCU 可以与无线电模块同时运行,外设模块可能被启用等等。通常,要确定峰值电流消耗以及器件中的峰值功率耗散,最简单方法是按照 测量 CC13xx 和 CC26xx 电流消耗 中的说明进行测量。