ZHCSPQ8 December   2025 ADS122S14

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 开关特性
    8. 5.8 时序图
    9. 5.9 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 噪声性能
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  模拟输入和多路复用器
      2. 7.3.2  可编程增益放大器 (PGA)
      3. 7.3.3  电压基准
        1. 7.3.3.1 内部基准
        2. 7.3.3.2 外部基准
        3. 7.3.3.3 基准缓冲器
      4. 7.3.4  时钟源
      5. 7.3.5  Δ-Σ 调制器
      6. 7.3.6  数字滤波器
        1. 7.3.6.1 Sinc4 和 Sinc4 + Sinc1 滤波器
        2. 7.3.6.2 FIR 滤波器
        3. 7.3.6.3 数字滤波器延迟
        4. 7.3.6.4 全局斩波模式
      7. 7.3.7  激励电流源 (IDAC)
      8. 7.3.8  烧毁电流源 (BOCS)
      9. 7.3.9  通用 IO (GPIO)
        1. 7.3.9.1 FAULT 输出
        2. 7.3.9.2 DRDY 输出
      10. 7.3.10 系统监控器
        1. 7.3.10.1 内部短路(失调电压校准)
        2. 7.3.10.2 内部温度传感器
        3. 7.3.10.3 外部基准电压回读
        4. 7.3.10.4 电源回读
      11. 7.3.11 监控器和状态标志
        1. 7.3.11.1 复位(RESETn 标志)
        2. 7.3.11.2 AVDD 欠压监控器(AVDD_UVn 标志)
        3. 7.3.11.3 基准欠压监控器(REV_UVn 标志)
        4. 7.3.11.4 SPI CRC 故障(SPI_CRC_FAULTn 标志)
        5. 7.3.11.5 寄存器映射 CRC 故障(REG_MAP_CRC_FAULTn 标志)
        6. 7.3.11.6 内部存储器故障(MEM_FAULTn 标志)
        7. 7.3.11.7 寄存器写入故障(REG_WRITE_FAULTn 标志)
        8. 7.3.11.8 DRDY 指示器(DRDY 位)
        9. 7.3.11.9 转换计数器 (CONV_COUNT[3:0])
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 上电和复位
        1. 7.4.1.1 上电复位 (POR)
        2. 7.4.1.2 通过寄存器写入进行复位
        3. 7.4.1.3 通过 SPI 输入模式进行复位
      2. 7.4.2 工作模式
        1. 7.4.2.1 空闲和待机模式
        2. 7.4.2.2 断电模式
        3. 7.4.2.3 电源可扩展转换模式
          1. 7.4.2.3.1 连续转换模式
          2. 7.4.2.3.2 单次转换模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1  串行接口 (SPI)
      2. 7.5.2  串行接口信号
        1. 7.5.2.1 片选 (CS)
        2. 7.5.2.2 串行时钟 (SCLK)
        3. 7.5.2.3 串行数据输入 (SDI)
        4. 7.5.2.4 串行数据输出/数据就绪 (SDO/DRDY)
        5. 7.5.2.5 数据就绪 (DRDY) 引脚
      3. 7.5.3  串行接口通信结构
        1. 7.5.3.1 SPI 帧
        2. 7.5.3.2 STATUS 标头
        3. 7.5.3.3 SPI CRC
      4. 7.5.4  器件命令
        1. 7.5.4.1 无操作(读取转换数据)
        2. 7.5.4.2 读取寄存器命令
        3. 7.5.4.3 写入寄存器命令
      5. 7.5.5  连续读取模式
        1. 7.5.5.1 在连续读取模式下读取寄存器
      6. 7.5.6  菊花链运行
      7. 7.5.7  3 线 SPI 模式
        1. 7.5.7.1 3 线 SPI 模式帧重新对齐
      8. 7.5.8  监控新转换数据
        1. 7.5.8.1 DRDY 引脚或 SDO/DRDY 引脚监控
        2. 7.5.8.2 读取 DRDY 位和转换计数器
        3. 7.5.8.3 时钟计数
      9. 7.5.9  DRDY 引脚行为
      10. 7.5.10 转换数据格式
      11. 7.5.11 寄存器映射 CRC
  9. 寄存器
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 串行接口连接
      2. 9.1.2 连接多个器件
      3. 9.1.3 未使用的输入和输出
      4. 9.1.4 器件初始化
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 软件可配置 RTD 测量输入
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用性能曲线图
        4. 9.2.1.4 设计变体 — 使用两个 IDAC 实现自动引线补偿的 3 线 RTD 测量
      2. 9.2.2 使用 2 线 RTD 通过冷端补偿进行热电偶测量
      3. 9.2.3 具有温度补偿的电阻式电桥传感器测量
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 电源
      2. 9.3.2 电源排序
      3. 9.3.3 电源去耦
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

布局指南

下面的 ADS1x2S14 布局基本建议有助于达到可能的 ADC 最佳性能。

  • 为了获得最佳性能,请将一个完整 PCB 层专用于接地平面,在该层上不要进行任何其他信号布线。
  • 对电源去耦电容器使用陶瓷电容器(例如 X7R 级)。不建议使用高 K 电容器 (Y5V)。使用短而直接的引线将所需的电容器放置在尽可能靠近器件引脚的位置。将旁路电容器放置在尽可能靠近器件的同一层上可产生最佳结果。
  • 使数字引线远离所有模拟输入和相关元件,以尽可能地减少干扰。
  • 提供良好的接地返回路径。信号返回电流在阻抗最小的路径上流动。如果接地平面被切割或有其他引线阻止电流在信号引线旁边流动,则必须找到另一条路径返回到源以完成电路。如果强制进入更大的路径,信号辐射的可能性会增加。敏感信号更容易受到 EMI 干扰的影响。
  • 考虑布线的电阻和电感。通常,输入端的引线具有电阻,这些电阻会与输入偏置电流发生反应,从而导致额外的误差电压。减小源信号和返回电流所包围的环路面积可减小路径中的电感。减小电感可降低 EMI 拾取,并减小器件输入端的高频阻抗。
  • 注意布局中的寄生热电偶。从每个模拟输入到传感器的不同金属元件可能会形成寄生热电偶,从而增加测量的偏移。对于测量源的两个输入,差分输入必须相匹配。
  • 为模拟输入端的 RC 滤波器使用 C0G 电容器。
  • 用接地填充物填充信号层上的空白区域。
  • 应用外部时钟时,确保时钟没有过冲和毛刺。放置在时钟缓冲器上的拉电流终端电阻器通常有助于减少过冲。时钟输入上的干扰可能会导致转换数据中出现噪声。