ZHCSPL5C March   2022  – May 2024 UCC27624-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 工作电源电流
      2. 6.3.2 输入级
      3. 6.3.3 使能功能
      4. 6.3.4 输出级
      5. 6.3.5 低传播延迟和紧密匹配的输出
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 VDD 和欠压锁定
        2. 7.2.2.2 驱动电流和功率损耗
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
    3. 9.3 散热注意事项
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.2.2.1 VDD 和欠压锁定

UCC27624-Q1 器件的 VDD 引脚电源电路块具有内部欠压锁定 (UVLO) 保护特性。当 VDD 上升且电平仍低于 UVLO 阈值时，无论输入状态如何，该电路都会将输出保持为低电平。UVLO 通常为 4V，通常具有 300mV 的迟滞。这种迟滞防止了当 VDD 电源电压有噪声时，特别是在 VDD 工作范围的低端时产生抖动。UVLO 迟滞对于避免因快速开关转换（从辅助电源旁路电容器汲取大峰值电流）产生的偏置噪声而导致的任何误跳闸也很重要。在驱动新兴功率半导体器件（例如先进的低栅极电荷快速 MOSFET、GaN FET 和 SiC MOSFET）时，尤为重要的是驱动器必须能够在宽偏置电压范围内运行，并且具有良好的开关特性。

上电时，UCC27624-Q1 驱动器器件输出保持低电平，直到 VDD 电压达到 UVLO 上升阈值，而不受 INx 和 ENx 等任何其他输入引脚状态的影响。在达到 UVLO 上升阈值之后，OUT 信号的幅度随 VDD 的增加而增加，直到达到稳定状态 VDD。

为了获得出色的高速电路性能，并防止由于该器件从 VDD 引脚汲取电流以对所有内部电路进行偏置而出现噪声问题，请使用两个 VDD 旁路电容器。此外，使用表面贴装的低 ESR 电容器。应将一个 0.1μF 陶瓷电容器放置在与栅极驱动器器件的 VDD 至 GND 引脚相距小于 1mm 的位置。此外，必须并联一个更大的电容器 (≥ 1μF)（也尽可能靠近驱动器 IC），以便帮助提供负载所需的高电流峰值。电容器的并联组合具有低阻抗特性，以便在应用中实现预期的电流电平和开关频率。

UCC27624-Q1 上电序列图 7-2 上电序列