ZHCSO86C December   2022  – August 2025 LM74900-Q1 , LM74910-Q1 , LM74910H-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电荷泵
      2. 8.3.2 双栅极控制（DGATE、HGATE）
        1. 8.3.2.1 反向电池保护（A、C、DGATE）
        2. 8.3.2.2 负载断开开关控制（HGATE、OUT）
      3. 8.3.3 过流保护（CS+、CS-、ILIM、IMON、TMR）
        1. 8.3.3.1 脉冲过载保护，断路器
        2. 8.3.3.2 具有锁闭的过流保护
        3. 8.3.3.3 短路保护 (ISCP)
        4. 8.3.3.4 模拟电流监测器输出 (IMON)
      4. 8.3.4 欠压保护、过压保护和电池电压检测（UVLO、OV、SW）
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 超低 IQ 关断模式 (EN)
      2. 8.4.2 低 IQ 睡眠模式 (SLEEP)
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型的 12V 反向电池保护应用
      1. 9.2.1 12V 电池保护的设计要求
      2. 9.2.2 汽车反向电池保护
        1. 9.2.2.1 输入瞬态保护：ISO 7637-2 脉冲 1
        2. 9.2.2.2 交流叠加输入整流：ISO 16750-2 和 LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 输入微短路保护：LV124 E-10
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 设计注意事项
        2. 9.2.3.2 电荷泵电容 VCAP
        3. 9.2.3.3 输入和输出电容
        4. 9.2.3.4 保持电容
        5. 9.2.3.5 电流检测电阻 RSNS 的选型
        6. 9.2.3.6 缩放电阻器 (RSET) 和短路保护设置电阻器 (RSCP) 的选型
        7. 9.2.3.7 过流限值 (ILIM)、断路器计时器 (TMR) 和电流监控输出 (IMON) 选择
        8. 9.2.3.8 过压保护和电池监测器
      4. 9.2.4 MOSFET 选择：阻断 MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET 选择：热插拔 MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS 选择
      7. 9.2.7 应用曲线
    3. 9.3 使用 LM749x0-Q1 解决汽车输入反向电池保护拓扑问题
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态保护
      2. 9.4.2 适用于 12V 电池系统的 TVS 选型
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

8.1 概述

LM749x0-Q1 系列理想二极管控制器可驱动背对背外部 N 沟道 MOSFET，从而通过断路器、欠压和过压保护功能实现低损耗电源路径保护。

3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受这些电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。

该器件具有精确的电流检测输出 (IMON)，典型精度为 ±10%，可帮助系统实现能源管理。它集成了两级过流保护，包括断路器功能 (TMR) 和故障 (FLT) 输出，具有完全可调节的阈值和响应时间。可以配置自动重试和锁存故障行为。

该器件提供可调节过压和欠压保护，可在发生电压瞬态事件时提供稳健的负载断开功能。

LM749x0-Q1 具有两种不同的低功耗模式，具体取决于 EN 和 SLEEP 引脚的状态。在睡眠模式（SLEEP = 低电平、EN = 高电平）下，该器件会关闭外部 MOSFET 栅极驱动器和内部电荷泵，仅消耗 6μA 电流，但同时提供内部旁路路径，以便为电流容量有限的常开负载供电。当使能引脚处于低电平时，器件通过完全切断负载进入超低功耗模式，典型流耗为 2.87μA。LM749x0-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。LM749x0-Q1 还适用于 ORing 和优先级电源多路复用器应用。