ZHCSNU2 September   2024 BQ25773

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ2577X
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  电池过压保护 (BATOVP)
        6. 7.3.26.6  电池充电过流保护 (BATCOC)
        7. 7.3.26.7  电池放电过流保护 (BATDOC)
        8. 7.3.26.8  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        9. 7.3.26.9  VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        10. 7.3.26.10 高占空比降压模式退出比较器保护 (HDBCP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
        1. 7.5.1.1 时序图
        2. 7.5.1.2 数据有效性
        3. 7.5.1.3 启动条件和停止条件
        4. 7.5.1.4 字节格式
        5. 7.5.1.5 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        6. 7.5.1.6 目标地址和数据方向位
        7. 7.5.1.7 单独读取和写入
        8. 7.5.1.8 多重读取和多重写入
        9. 7.5.1.9 写入 2 字节 I2C 命令
    6. 7.6 BQ25773 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 用于电压尖峰阻尼的输入缓冲器和滤波器
        2. 8.2.2.2 ACP-ACN 输入滤波器
        3. 8.2.2.3 电感器选型
        4. 8.2.2.4 输入电容器
        5. 8.2.2.5 输出电容器
        6. 8.2.2.6 功率 MOSFET 选择
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 布局示例参考顶视图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

6.5 电气特性

典型值在 VVBUS_UVLOZ < VVBUS < VACOV_FALL、TJ = -40°C 至 +125°C 以及 TJ = 25°C 条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VINPUT_OP 输入电压工作范围 3.5 40.00 V
最大系统电压调节
VSYSMAX_RNG 系统电压调节，在 VSYS 上测量（禁用充电） 5.16 23.16 V
VSYSMAX_ACC 系统电压调节精度（禁用充电） CHARGE_VOLTAGE() = 0x1482 (21.000V) VSRN + 200mV V
-0.6% 0.6%
CHARGE_VOLTAGE() = 0x1068H (16.800V) VSRN + 200mV V
-0.6% 0.6%
CHARGE_VOLTAGE() = 0x0C4EH (12.600V) VSRN + 200mV V
-0.6% 0.6%
CHARGE_VOLTAGE() = 0x0834H (8.400V) VSRN + 200mV V
-1% 1%
最小系统电压调节
VSYSMIN_RNG 系统电压调节，在 VSYS 上测量 5.00 23.00 V
VSYSMIN_REG_ACC 最小系统电压调节精度（VBAT 低于 REG0x3E() 设置） VSYS_MIN() = 0x0C08H 15.40 V
-0.9% 0.9%
VSYS_MIN() = 0x099CH 12.30 V
-0.9% 0.9%
VSYS_MIN() = 0x0730H 9.20 V
-1.3% 1.1%
VSYS_MIN() = 0x0528H 6.60 V
-1.5% 1.50%
充电电压调节
VBAT_RNG 电池电压调节 5.00 23.00 V
VBAT_REG_ACC 电池电压调节精度（充电启用）（0°C 至 85°C） CHARGE_VOLTAGE() = 0x1482H 21.0 V
-0.5% 0.6%
CHARGE_VOLTAGE()= 0x1068H 16.8 V
-0.5% 0.6%
CHARGE_VOLTAGE() = 0x0C4EH 12.6 V
-0.5% 0.6%
CHARGE_VOLTAGE() = 0x0834H 8.4 V
-0.5% 0.6%
快速充电中的充电电流调节
VIREG_CHG_RNG 充电电流调节，差分电压范围，使用 5mΩ 检测电阻 VIREG_CHG = VSRP – VSRN 128 16320 mA
ICHRG_REG_ACC 充电电流调节精度，5mΩ 检测电阻，VBAT 高于 VSYS_MIN() 设置（0°C 至 85°C） CHARGE_CURRENT() = 0x600H，VBAT=7.4V/11.1V/14.8V/18.5V 12288 mA
-1.5% 1.5%
CHARGE_CURRENT() = 0x400H，VBAT=7.4V/11.1V/14.8V/18.5V 8192 mA
-2.0% 2.0%
CHARGE_CURRENT() = 0x200H，VBAT=7.4V/11.1V/14.8V/18.5V 4096 mA
-3.0% 3.0%
CHARGE_CURRENT() = 0x100H，VBAT=7.4V/11.1V/14.8V/18.5V 2048 mA
-5.0% 5.0%
CHARGE_CURRENT() = 0x080H，VBAT=7.4V/11.1V/14.8V/18.5V 1024 mA
-8.0% 8.0%
预充电状态（LDO 模式）下的充电电流调节
VPRECHG_RANGE 预充电电流范围，5mΩ SRP/SRN 串联电阻，VBAT 低于 REG0x3E() 设置（0°C 至 85°C） VIREG_PRECHG = VSRP - VSRN，IPRECHG() = 0x10H~0xFCH 128 2016 mA
IPRECHRG_REG_ACC 预充电电流调节精度，使用 5mΩ SRP/SRN 串联电阻，VBAT 低于 VSYS_MIN() 设置（0°C 至 85°C），RSNS_RSR=0b IPRECHG() = 0x80H，CHARGE_CURRENT() = 0x100H 1024 mA
-10.0% 10.0%
IPRECHG() = 0x40H，CHARGE_CURRENT() = 0x100H 512 mA
-15.0% 15.0%
IPRECHG() = 0x20H，CHARGE_CURRENT() = 0x100H 256 mA
-20.0% 20.0%
IPRECHG() = 0x10H，CHARGE_CURRENT() = 0x100H 128 mA
-30.0% 30.0%
终止电流和再充电（自主充电）
VTERM_RANGE 终止电流范围，5mΩ SRP/SRN 串联电阻，VBAT 低于 REG0x3E() 设置（0°C 至 85°C） VIREG_TERM = VSRP - VSRN，ITERM() = 0x10H~0xFCH 128 2016 mA
VRECHG 电池自动再充电阈值（0°C 至 85°C） VSRN 下降阈值，表示为负偏移，基于 CHARGE_VOLTAGE()=12.6V，VRECHG()=1111b 800.0 mV
VSRN 下降阈值，表示为负偏移，基于 CHARGE_VOLTAGE()=12.6V，VRECHG()=0111b 400.0 mV
VSRN 下降阈值，表示为负偏移，基于 CHARGE_VOLTAGE()=12.6V，VRECHG()=0011b 200.0 mV
VSRN 下降阈值，表示为负偏移，基于 CHARGE_VOLTAGE()=12.6V，VRECHG()=0001b 100.0 mV
输入电流调节
VIREG_DPM_RNG 输入电流调节范围，使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻 VIREG_DPM = VACP_A – VACN_A +VACP_B - VACN_B 400 8200 mA
IIIN_DPM_REG_ACC 输入电流调节精度，使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻 IIN_HOST() = 0x0C4H 4750 4900 5000 mA
IIN_HOST() = 0x074H 2800 2900 3000 mA
IIN_HOST() = 0x024H 800 900 1000 mA
IIN_HOST() = 0x010H 300 400 510 mA
VIREG_DPM_RNG_ILIM 输入电流调节的电压范围（ILIM_HIZ 引脚） 1.15 4.0 V
IIIN_DPM_REG_ACC_ILIM ILIM_HIZ 引脚上的输入电流调节精度，VILIM_HIZ = 1V + 40 × IIIN_DPM × RAC，使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻 VILIM_HIZ = 3.0V 4800 5000 5200 mA
VILIM_HIZ = 2.2V 2800 3000 3200 mA
VILIM_HIZ = 1.4V 800 1000 1200 mA
VILIM_HIZ = 1.2V 300 500 700 mA
ILEAK_ILIM ILIM_HIZ 引脚漏电流 -1 1 µA
输入电压调节
VVINPM_REG_ACC 输入电压调节精度 VINDPM()=0x384H 18000 mV
-1% 1%
VINDPM()=0x0E0H 4480 mV
-3% 3%
OTG 电流调节
VIOTG_REG_RNG OTG 输出电流调节范围，使用 10mΩ ACP/ACN 串联电阻 VIOTG_REG = VACP_A – VACN_A +VACP_B - VACN_B 100 3000 mA
IOTG_ACC OTG 输出电流调节精度，使用 25mA LSB 和 10mΩ ACP/ACN 串联电阻 OTG_Current() = 0x078H 2850 3000 3150 mA
OTG_Current() = 0x03CH 1350 1500 1650 mA
OTG_Current() = 0x014H 350 500 650 mA
OTG 电压调节
VOTG_REG_RNG OTG 电压调节范围 VBUS 电压 3 5 V
VOTG_REG_ACC OTG 电压调节精度 OTG_Voltage()=0x0FAH 5.00 V
VOTG_REG_ACC OTG 电压调节精度 -3% 3%
REGN 稳压器
VREGN_REG REGN 稳压器电压 VBUS = 10V，REGN_EXT=0b 4.80 5.00 5.10 V
VREGN_REG_EXT REGN 稳压器电压，使用外部过驱 VBUS = 10V，REGN_EXT=1b 4.35 4.50 4.65 V
IREGN_LIM_CHARGING 启用转换器时的 REGN 电流限制 VBUS = 10V，强制 VREGN = 4V 150.00 191.00 mA
IREGN_LIM_LWPWR 仅电池低功耗模式下的 REGN 电流限制 VBUS = 0V，VVBAT = 18V，强制 VREGN = 4V，EN_LWPWR=1b，EN_REGN_LWPWR=1b 3.00 12.00 mA
VREGN_OK_FALL REGN 稳压器电压有效下降阈值 2.8 3.20 V
VREGN_OK_RISE REGN 稳压器电压有效上升阈值 3.10 3.40 3.60 V
VREGN_OV_RISE REGN 稳压器电压过压上升阈值 5.30 5.50 5.60 V
VREGN_OV_FALL REGN 稳压器电压过压下降阈值 5.10 5.30 5.50 V
静态电流
ISD_BAT 由电池供电的系统。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1_A&B + IBTST1_A&B + IACP_A&B + IACN_A&B + IVBUS + IVSYS VBAT = 18V，低功耗模式 (EN_LWPWR=1b)，比较器关闭（EN_LWPWR_CMP=0b、CMP_EN=1b），BATDRV 关闭 (BATFET_ENZ=1b)，REGN 关闭 (EN_REGN_LWPWR=0b)，PSYS 关闭 (PSYS_CONFIG=11b)，连续 ADC 关闭 (ADC_RATE=1b) 12.0 20.0 µA
IQ_BAT1 由电池供电的系统。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1_A&B + IBTST1_A&B + IACP_A&B + IACN_A&B + IVBUS + IVSYS VBAT = 18V，低功耗模式 (EN_LWPWR=1b)，比较器关闭 (EN_LWPWR_CMP=0b)，BATDRV 开启（BATFET_ENZ=0b、CMP_EN=1b），REGN 关闭 (EN_REGN_LWPWR=0b)，PSYS 关闭 (PSYS_CONFIG=11b)，IBAT 关闭 (EN_IBAT=0b)，连续 ADC 关闭 (ADC_RATE=1b) 20 30 µA
IQ_BAT2 由电池供电的系统。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1_A&B + IBTST1_A&B + IACP_A&B + IACN_A&B + IVBUS + IVSYS VBAT = 18V，低功耗模式 (EN_LWPWR=1b)，比较器开启（EN_LWPWR_CMP=1b、CMP_EN=1b），BATDRV 开启 (BATFET_ENZ=0b)，REGN 关闭 (EN_REGN_LWPWR=0b)，PSYS 关闭 (PSYS_CONFIG=11b)，IBAT 关闭 (EN_IBAT=0b)，连续 ADC 关闭 (ADC_RATE=1b) 30 45 µA
IQ_BAT3 由电池供电的系统。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1_A&B + IBTST1_A&B + IACP_A&B + IACN_A&B + IVBUS + IVSYS VBAT = 18V，低功耗模式（EN_LWPWR=1b、CMP_EN=1b），比较器开启 (EN_LWPWR_CMP=1b)，BATDRV 开启 (BATFET_ENZ=0b)，REGN 开启且降至 5mA (EN_REGN_LWPWR=1b)，PSYS 关闭 (PSYS_CONFIG=11b)，IBAT 关闭 (EN_IBAT=0b)，连续 ADC 关闭 (ADC_RATE=1b) 110 150 µA
IQ_BAT4 由电池供电的系统。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1_A&B + IBTST1_A&B + IACP_A&B + IACN_A&B + IVBUS + IVSYS VBAT = 18V，性能模式（EN_LWPWR=0b、CMP_EN=1b），比较器开启 (EN_LWPWR_CMP=1b)，BATDRV 开启 (BATFET_ENZ=0b)，REGN 在全功率模式下开启，PSYS 开启 (PSYS_CONFIG=00b)，IBAT 开启 (EN_IBAT=1b)，连续 ADC 关闭 (ADC_RATE=1b) 800 1000 µA
IQ_BAT5 由电池供电的系统。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1_A&B + IBTST1_A&B + IACP_A&B + IACN_A&B + IVBUS + IVSYS VBAT = 18V，性能模式 (EN_LWPWR=0b)，比较器开启（EN_LWPWR_CMP=1b、CMP_EN=1b），BATDRV 开启 (BATFET_ENZ=0b)，REGN 在全功率模式下开启，PSYS 开启 (PSYS_CONFIG=00b)，IBAT 开启 (EN_IBAT=1b)，连续 ADC 开启（ADC_RATE=0b，ADC_EN=1b，在至少 1 个通道启用，EN_ADC_VBAT=1b） 950 1100 µA
IQ_HIZ 转换器处于高阻态模式，系统由电池供电。ISRN + ISRP + ISW2 + IBTST2 + ISW1_A&B + IBTST1_A&B + IACP_A&B + IACN_A&B + IVBUS + IVSYS VIN = 28V，VBAT = 12.6V，3s，EN_HIZ=1b；处于高阻态模式 1000 1150 µA
IQ_VAC 降压模式下的输入电流，无负载，IVBUS + IACP + IACN + IVSYS + ISRP + ISRN + ISW1 + IBTST + ISW2 + IBTST2 VIN = 28V，VBAT = 12.6V，3s，EN_LEARN = 1b，无开关 1000 1150 mA
VIN = 28V，VBAT = 12.6V，3s，EN_OOA = 0b；在零负载下开关 2.50 mA
电流检测放大器
VIADPT_CLAMP IADPT 输出钳位电压 3.1 3.2 3.3 V
IIADPT IADPT 输出电流 1 2.5 mA
AIADPT 输入电流检测增益 V(IADPT) / (VACP_A-VACN_A+VACP_B-VACN_B)，IADPT_GAIN = 0 20 V/V
V(IADPT) / (VACP_A-VACN_A+VACP_B-VACN_B)，IADPT_GAIN = 1 40 V/V
VIADPT_ACC 输入电流监控器精度 VACP_A-VACN_A+VACP_B-VACN_B = 61.44mV，IADPT_GAIN = 0 -2.5% 1.5%
VACP_A-VACN_A+VACP_B-VACN_B = 40.96mV，IADPT_GAIN = 0 -3.5% 2%
IADPT_GAIN = 0VACP_A-VACN_A+VACP_B-VACN_B = 20.48mV，IADPT_GAIN = 0 -6% 3%
VACP_A-VACN_A+VACP_B-VACN_B = 10.24mV，IADPT_GAIN = 0 -15% 6%
VACP_A-VACN_A+VACP_B-VACN_B = 5.12mV，IADPT_GAIN = 0 -25% 10%
CIADPT_MAX IADPT 引脚处的最大电容 100 pF
VIBAT_CLAMP IBAT 输出钳位电压 3.1 3.2 3.3 V
IIBAT IBAT 输出电流 1 2.5 mA
AIBAT IBAT 引脚上的充电和放电电流检测增益 V(IBAT) / V(SRN-SRP)，IBAT_GAIN=0 8 V/V
V(IBAT) / V(SRN-SRP)，IBAT_GAIN=1 64 V/V
IIBAT_CHG_ACC IBAT 引脚上的充电和放电电流监控器精度 VSRN-VSRP=61.44mV，IBAT_GAIN=0b -1.5% 2%
VSRN-VSRP=40.96mV，IBAT_GAIN=0b -2% 3%
VSRN-VSRP=20.48mV，IBAT_GAIN=0b -3% 7%
VSRN-VSRP=10.24mV，IBAT_GAIN=0b -6% 13%
VSRN-VSRP=5.12mV，IBAT_GAIN=0b -12% 27%
CIBAT_MAX IBAT 引脚处的最大电容 100 pF
系统功率检测放大器
VPSYS PSYS 输出电压范围 0 3.3 V
IPSYS PSYS 输出电流 0 260.00 µA
APSYS PSYS 系统增益 I(PSYS) / (P(IN) +P(BAT))，PSYS_CONFIG=00b；PSYS_RATIO=1b 1 µA/W
VPSYS_ACC_ADPT PSYS 增益精度 (PSYS_CONFIG = 00b) 仅适配器监测系统功率：  VBUS=28V，IBUS=3.6A (100W)，TA=0°C 至 85°C，PSYS_RATIO=1b，RAC=10mΩ，RSR=5mΩ。 -3% 4.5%
VPSYS_ACC_BAT PSYS 增益精度 (PSYS_CONFIG = 00b) 仅电池监测系统功率：  VBAT=11.1V，IBAT=9.1A (100W)，TA=0°C 至 85°C，PSYS_RATIO=1b，RAC=10mΩ，RSR=5mΩ。 -3.5% 2%
VPSYS_CLAMP PSYS 钳位电压 3.1 3.3 V
集成式模数转换 (ADC)
ADCRES ADC 有效分辨率 ADC_SAMPLE[1:0]=00b 14 15 位
ADCRES ADC 有效分辨率 ADC_SAMPLE[1:0]=01b 13 14 位
ADCRES ADC 有效分辨率 ADC_SAMPLE[1:0]=10b 12 13 位
ADC_VBUS ADC_VBUS() 寄存器中的 ADC 输入电压读数 范围 0 65534 mV
LSB 2 mV
VIN=28V 时的精度 -2 2 %
ADC_IIN ADC_IIN() 寄存器中的 ADC 输入电压读数 范围 -16383.5 16383.5 mA
基于 10mΩ RAC 的 LSB 0.5 mA
VACP_A-VACN_A+VACP_B-VACN_B = 50mV 时的精度 -4 2.5 %
ADC_VSYS ADC_VSYS() 寄存器中的 ADC 输入电压读数 范围 0 65534 mV
LSB 2 mV
VSYS=9V 时的精度 -2 2 %
ADC_VBAT ADC_VBAT() 寄存器中的 ADC 输入电压读数 范围 0 32767 mV
LSB 1 mV
VBAT=9V 时的精度 -2 1 %
ADC_PSYS ADC_PSYS() 寄存器中的 ADC 输入电压读数 范围 0 4095 mV
LSB 1 mV
V_PSYS=2V 时的精度 -2 2 %
ADC_CMPIN_TR ADC_CMPIN_TR() 寄存器中的 ADC 输入电压读数 范围 0 4095 mV
LSB 1 mV
V_CMPIN_TR=2V 时的精度 -2 2 %
温度调节 (TREG) 下的 CMPIN_TR 引脚电压
VTREG 温度调节下的 CMPIN_TR 引脚电压 1.200 V
VTREG_ACC 温度调节下的 CMPIN_TR 引脚电压精度 -2.0% 2.0%
VTREG_PP TREG PROCHOT 曲线阈值电平 1.07 1.100 1.13 V
VBUS 和 ACP_A 之间的正向模式睡眠比较器 (SC_VBUSACP)
VSC_VBUSACP_rising 用于在电子保险丝/PFET 未完全开启时使睡眠比较器关闭转换器的 VBUS-ACP_A 上升阈值 700 850 1000 mV
VSC_VBUSACP_falling 用于在电子保险丝/PFET 完全开启后使睡眠比较器恢复转换器开关的 VBUS-ACP_A 下降阈值 650 800 950 mV
高占空比降压模式退出比较器 (HDBCP)
VHDBCP_VSYS_RISE 用于强制 HIGH_DUTY_BUCK=0b 以使比较器退出高占空比降压模式的 VSYS 上升/VBUS 下降阈值 97.2% 97.7% 98.2%
VHDBCP_HYS 根据 97.5%*VBUS 阈值进行 VSYS 下降/VBUS 上升以允许向 HIGH_DUTY_BUCK 位写入 1b 时的迟滞 200.0 mV
tHDBCP_VSYS_DEG 上升沿和下降沿的比较器抗尖峰脉冲时间 15.0 us
VMIN 主动保护 (VAP) PROCHOT 比较器
VSYS_TH1Z VAP VSYS 上升阈值1 VSYS_TH1()=001110b 6.4 6.55 6.7 V
VSYS_TH1 VAP VSYS 下降阈值 1 VSYS_TH1()=001110b 6.25 6.4 6.55 V
VSYS_TH1_HYST VAP VSYS 阈值 1 迟滞 150 mV
VSYS_TH2Z VAP VSYS 上升阈值2 VSYS_TH2()=001001b 5.9 6.05 6.20 V
VSYS_TH2 VAP VSYS 下降阈值 2 VSYS_TH2()=001001b 5.75 5.9 6.05 V
VSYS_TH2_HYST VAP VSYS 阈值 2 迟滞 150 mV
VBUS_VAP_THZ 保守的 VAP VBUS 上升阈值 VBUS_VAP_TH()=0000000b 3.35 3.5 3.65 V
VBUS_VAP_TH 保守的 VAP VBUS 下降阈值 VBUS_VAP_TH()=0000000b 3.05 3.2 3.35 V
VBUS_VAP_TH_HYST 保守的 VAP VBUS 阈值迟滞 300 mV
峰值功率模式 2 级适配器电流限制 (ILIM2)
ILIM2_VTH 基于 IINDPM(ILIM1) 电平的百分比 ILIM2_VTH=01001b 150%
VILIM2_CEILING 基于双相总输入电流检测电压 ACP_A -ACN_A +ACP_B -ACN_B 的 ILIM2 高电平钳位 将 IIN_HOST() 设置为最大值，并使 ILIM2_VTH=11110b 240 258 275 mV
峰值功率模式系统电压下降比较器 (SYS_SAG)
VSYS_SAG 用于触发峰值功率模式 ILIM2 的 VSYS 下冲比较器阈值（以 VSYS_MIN() 的百分比形式表示）  EN_PKPWR_VSYS=1b 91.4% 93.25% 95.0%
VSYS_SAG_HYST VSYS 欠压迟滞 100 mV
VSYS 欠压保护比较器 (VSYS_UVP)
VSYS_UVLOZ VSYS 欠压上升阈值 VSYS 上升 2.35 2.55 2.75 V
VSYS_UVLO VSYS 欠压下降阈值 VSYS 下降，VSYS_UVP()=000b 2.2 2.4 2.6 V
VSYS_UVLOZ VSYS 欠压上升阈值 VSYS 上升 4.75 4.95 5.15 V
VSYS_UVLO VSYS 欠压下降阈值 VSYS 下降，VSYS_UVP()=011b 4.6 4.8 5.0 V
VSYS_UVLOZ VSYS 欠压上升阈值 VSYS 上升 7.15 7.35 7.55 V
VSYS_UVLO VSYS 欠压下降阈值 VSYS 下降，VSYS_UVP()=110b 7.0 7.2 7.4 V
VBUS 欠压锁定比较器 (VBUS_UVLO)
VVBUS_UVLOZ VBUS 欠压上升阈值 VBUS 上升 2.5 2.7 2.9 V
VVBUS_UVLO VBUS 欠压下降阈值 VBUS 下降 2.3 2.6 2.8 V
VVBUS_CONVEN VBUS 转换器使能上升阈值 VBUS 上升 3.1 3.4 3.7 V
VVBUS_CONVENZ VBUS 转换器使能下降阈值 VBUS 下降 2.9 3.2 3.5 V
VBAT 欠压锁定比较器 (VBAT_UVLO)
VVBAT_UVLOZ VBAT 欠压上升阈值 VSRN 上升 3.5 3.95 4.25 V
VVBAT_UVLO VBAT 欠压下降阈值 VSRN 下降 3.3 3.75 4.05 V
VVBAT_UVLO_HYST VBAT 欠压迟滞 200 mV
VVBAT_OTGEN VBAT OTG 使能上升阈值 VSRN 上升 4.80 5.0 5.20 V
VVBAT_OTGENZ VBAT OTG 使能下降阈值 VSRN 下降 4.45 4.65 4.85 V
VVBAT_OTGEN_HYST VBAT OTG 使能迟滞 350 mV
VBUS 欠压保护比较器（OTG 模式）
VVBUS_OTG_UV VBUS 欠压下降阈值 以 OTG_VOLTAGE() 设置的百分比形式表示 65% 75% 85%
VVBUS_OTG_UVZ 基于下降阈值的 VBUS 欠压上升阈值迟滞 100 mV
VBUS 过压保护比较器（OTG 模式）
VVBUS_OTG_OV VBUS 过压上升阈值 以 OTG_VOLTAGE() 设置 = 12V 的百分比形式表示 110% 118% 125%
VVBUS_OTG_OVZ VBUS 过压下降阈值 以 OTG_VOLTAGE() 设置 = 12V 的百分比形式表示 100% 105% 110%
预充电到快速充电比较器
VBAT_PRECHG_Z VBAT 上升阈值 VBAT 上升，表示为 VSYS_MIN() 的负偏移 -150 50 200 mV
VBAT_PRECHG VBAT 下降阈值 VBAT 下降，表示为 VSYS_MIN() 的负偏移 -50 150 300 mV
VBAT_PRECHG_HYST VBAT 迟滞 100 mV
涓流充电到预充电转换
VBAT_SHORT_Z VBAT 短路上升阈值 VBAT 上升 2.9 3.0 3.1 V
VBAT_SHORT VBAT 短路下降阈值 VBAT 下降 2.80 2.9 3.0 V
VBAT_SHORT_HYST VBAT 短路迟滞 100.0 mV
IBAT_SHORT VBAT 短路涓流充电电流最大钳位 128.0 mA
输入过压比较器 (ACOV)
VACOV_RISE_15SPR 15V SPR 的 VBUS 过压上升阈值 VBUS 上升 (ACOV_ADJ=00b) 19.25 20.00 20.75 V
VACOV_FALL_15SPR 15V SPR 的 VBUS 过压下降阈值 VBUS 下降 (ACOV_ADJ=00b) 18.25 19.00 19.75 V
VACOV_RISE_20SPR 20V SPR 的 VBUS 过压上升阈值 VBUS 上升 (ACOV_ADJ=01b) 26.25 27.00 27.75 V
VACOV_FALL_20SPR 20V SPR 的 VBUS 过压下降阈值 VBUS 下降 (ACOV_ADJ=01b) 25.25 26.00 26.75 V
VACOV_RISE_28EPR 28V EPR 的 VBUS 过压上升阈值 VBUS 上升（默认 ACOV_ADJ=10b） 32.25 33.00 33.75 V
VACOV_FALL_28EPR 28V EPR 的 VBUS 过压下降阈值 VBUS 下降（默认 ACOV_ADJ=10b） 31.25 32.00 32.75 V
VACOV_RISE_36EPR 36V EPR 的 VBUS 过压上升阈值 VBUS 上升 (ACOV_ADJ=11b) 40.25 41.00 41.75 V
VACOV_FALL_36EPR 36V EPR 的 VBUS 过压下降阈值 VBUS 下降 (ACOV_ADJ=11b) 39.25 40.00 40.75 V
VACOV_HYST VBUS 过压迟滞 1.00 V
输入过流比较器 (ACOC)
VACOC ACP 至 ACN 上升阈值，基准为REG0x33[15:11] 中的 ILIM2 输入检测电阻上的电压上升，Reg0x31[2] = 1 170 200 230 %
VACOC_FLOOR 基于双相总输入电流检测 ACP_A -ACN_A +ACP_B -ACN_B 的 ACOC 低电平钳位 将 IIN_HOST() 设置为最小值 46 50 54 mV
VACOC_CEILING 基于双相总输入电流检测 ACP_A -ACN_A +ACP_B -ACN_B 的 ACOC 高电平钳位 将 IIN_HOST() 设置为最大值 174 180 184 mV
系统过压比较器 (SYSOVP)
VSYSOVP_RISE 关闭转换器的系统过压上升阈值 2s 11.85 12.15 12.35 V
3s 16.8 17.15 17.4 V
4s 21.90 22.3 22.60 V
5s 26.90 27.3 27.70 V
VSYSOVP_FALL 系统欠压下降阈值 2s 11.6 V
3s 16.60 V
4s 21.7 V
5s 26.80 V
ISYSOVP SYSOVP 期间的放电电流  通过 VSYS 引脚 20 mA
BAT 过压比较器 (BATOVP)
VBATOVP_RISE 过压上升阈值，以 CHARGE_VOLTAGE() 的百分比形式表示 2s - 5s 107.8% 108.8% 109.6%
VBATOVP_FALL 过压下降阈值，以 CHARGE_VOLTAGE() 的百分比形式表示 2s - 5s 104.4% 105.5% 106.5%
VBATOVP_HYST 过压迟滞，以 CHARGE_VOLTAGE() 的百分比形式表示 2s - 5s 3.3%
IBATOVP BATOVP 期间的放电电流 通过 VSYS 引脚 20 mA
转换器过流比较器 (OCP_SW2)
VOCP_LIMIT_SW2 通过 Q4 VDS 的转换器过流限制 OCP_SW2_HIGH_RANGE=0 150 mV
OCP_SW2_HIGH_RANGE=1 260 mV
VOCP_LIMIT__SYSSHORT_SW2 在 OTG_UVP 下，通过 Q4 VDS 的转换器过流限制 OCP_SW2_HIGH_RANGE=0 90 mV
OCP_SW2_HIGH_RANGE=1 150 mV
转换器过流比较器 (OCP_SW1X)
VOCP_LIMIT_SW1X_RAC 通过 RAC 的转换器过流限制 OCP_SW1X_HIGH_RANGE=0 150 mV
OCP_SW1X_HIGH_RANGE=1 260 mV
VOCP_LIMIT_SYSSHORT_SW1X_RAC 在 SYS_UVP 下，通过 RAC 的转换器过流限制 OCP_SW1X_HIGH_RANGE=0 90 mV
OCP_SW1X_HIGH_RANGE=1 150 mV
热关断比较器
TSHUT_RISE 热关断上升温度 温度升高 155 °C
TSHUT_FALL 热关断下降温度 温度降低 135 °C
TSHUT_HYS 热关断迟滞 20 °C
ICRIT PROCHOT 比较器
VICRIT_PRO 用于节流的输入电流上升阈值，比 ILIM2_VTH() 高 10% 仅当 ILIM2 设置高于 4A 时 104.5% 110% 117.5%
INOM PROCHOT 比较器
VINOM_PRO INOM 上升阈值，比 IIN_DPM() 高 10%，且 EN_EXTILIM=0b 仅当 IIN_DPM() 为 2A 或更高时才能确保精度。最小钳位为 500mA。500mA 和 2A 之间的精度可能会受到影响。 104% 110% 117%
电池放电电流限制 PROCHOT 比较器（IDCHG_TH1 和 IDCHG_TH2）
IDCHG_TH1 SRN 和 SRP 引脚上用于限制 CPU 速率的 IDCHG 阈值 1 电压 IDCHG_TH1()=010000b 47.5 mV
-3.0% 3.2%
IDCHG_DGLT1 IDCHG 阈值 1 抗尖峰脉冲时间 IDCHG_DEG1()=01b 1.25 秒
IDCHG_TH2 SRN 和 SRP 引脚上的 IDCHG 阈值 2 电压 IDCHG_TH1()=010000b，IDCHG_TH2()=001b 71.25 mV
-3.0% 3.2%
IDCHG_DGLT2 IDCHG 阈值 2 抗尖峰脉冲时间 IDCHG_DEG2()=01b 1.6 ms
独立比较器
VINDEP_CMP 独立比较器阈值 比较器 CMPIN_TR 阈值，用于触发 CMPOUT 下拉，负极性 CMP_POL=0b。 1.18 1.2 1.23 V
VINDEP_CMP_HYS 独立比较器迟滞 比较器 CMPIN_TR 迟滞阈值 100 mV
PWM 振荡器和斜坡
FSW PWM 开关频率 PWM_FREQ = 0 690 770 850 kHz
FSW PWM 开关频率 PWM_FREQ = 1 540 600 660 kHz
BATFET 栅极驱动器（NFET 为 BATDRV）
VBATDRV_ON NMOS BATFET 上的栅极驱动电压 4.70 5.00 5.40 V
VBATDRV_SUPPLEMENT 补充模式下理想二极管调节期间的 BATFET 源漏电压 30.00 mV
IBATDRV_ON BATDRV 开启，VBATDRV=VBAT+2V 30 40 µA
IBATDRV_OFF BATDRV 关闭，BATDRV=VBAT+2V 0.54 0.85 mA
PWM 高侧驱动器（Q1_A 为 HIDRV1_A，Q1_B 为 HIDRV1_B）
RDS_HI_ON_Q1 高侧驱动器 (HSD) 导通电阻 VBTST1 - VSW1 = 4.5V 1.00 Ω
RDS_HI_OFF_Q1 高侧驱动器关断电阻 VBTST1 - VSW1 = 4.5V 0.4 0.6 Ω
VBTST1_REFRESH 自举刷新比较器下降阈值电压 当请求低侧刷新脉冲时 VBTST1 - VSW1 3.0 3.3 3.6 V
PWM 低侧驱动器（Q2_A 为 LODRV1_A，Q2_B 为 LODRV1_B）
RDS_LO_ON_Q2 低侧驱动器 (LSD) 导通电阻 VBTST1 - VSW1 = 4.5V 1.0 Ω
RDS_LO_OFF_Q2 低侧驱动器关断电阻 VBTST1 - VSW1 = 4.5V 0.4 0.6 Ω
PWM 高侧驱动器（Q4 为 HIDRV2）
RDS_HI_ON_Q4 高侧驱动器 (HSD) 导通电阻 VBTST2 - VSW2 = 4.5V 1.50 Ω
RDS_HI_OFF_Q4 高侧驱动器关断电阻 VBTST2 - VSW2 = 4.5V 0.50 0.80 Ω
VBTST2_REFRESH 自举刷新比较器下降阈值电压 当请求低侧刷新脉冲时 VBTST2 - VSW2 3.0 3.3 3.6 V
PWM 低侧驱动器（Q3 为 LODRV2）
RDS_LO_ON_Q3 低侧驱动器 (LSD) 导通电阻 VBTST2 - VSW2 = 4.5V 1.10 Ω
RDS_LO_OFF_Q3 低侧驱动器关断电阻 VBTST2 - VSW2 = 4.5V 0.40 0.70 Ω
充电使能期间的内部软启动
SSSTEP_DAC 软启动步长 8 mA
集成 BTST 二极管 (D1_X)
VF_D1 正向偏置电压 25°C 时 IF = 20mA 0.8 V
集成 BTST 二极管 (D2)
VF_D2 正向偏置电压 25°C 时 IF = 20mA 0.8 V
接口
逻辑输入（SDA、SCL、EN_OTG）
VIN_ LO_EN_OTG EN_OTG 引脚的输入低电平 0.8 V
VIN_ HI_EN_OTG EN_OTG 引脚的输入高电平 1.35 V
VIN_ LO SCL/SDA 的输入低电平 I2C（1.2V~5V VDD 上拉） 0.42 V
VIN_ HI SCL/SDA 的输入高电平 I2C（1.2V~5V VDD 上拉） 0.8 V
逻辑输出开漏 SDA
VOUT_ LO_SDA 输出饱和电压 5mA 漏极电流 0.3 V
VOUT_ LEAK_SDA 漏电流 V = 5.5V -1 1 µA
逻辑输出开漏 CHRG_OK
VOUT_ LO_CHRG_OK 输出饱和电压 5mA 漏极电流 0.4 V
VOUT_ LEAK _CHRG_OK 漏电流 V = 5.5V -1 1 µA
逻辑输出开漏 CMPOUT
VOUT_ LO_CMPOUT 输出饱和电压 5mA 漏极电流 0.4 V
VOUT_ LEAK _CMPOUT 漏电流 V = 5.5V -1 1 µA
逻辑输出开漏 (PROCHOT)
VOUT_ LO_PROCHOT 输出饱和电压 50Ω 上拉至 1.05V/5mA 0.4 V
VOUT_ LEAK_PROCHOT 漏电流 V = 5.5V -1 1 µA
模拟输入 (ILIM_HIZ)
VHIZ_ LOW 退出 HIZ 模式的电压 ILIM_HIZ 引脚上升 0.7 0.8 V
VHIZ_ HIGH 启用 HIZ 模式的电压 ILIM_HIZ 引脚下降 0.4 0.5 V
VILIM_ENZ 在 ILIM_HIZ 引脚上禁用外部电流限制功能的电压 (EN_EXTLIM=1b) ILIM_HIZ 引脚上升 4.1 4.2 V
VILIM_EN 在 ILIM_HIZ 引脚上启用外部电流限制功能的电压 (EN_EXTLIM=1b) ILIM_HIZ 引脚下降 3.9 4.0 V
模拟输入 (CELL_BATPRES)
VCELL_5S 5S CELL_BATPRES 引脚电压，以 REGN = 5V 的百分比形式表示 90.0% 100.0%
VCELL_4S 4S CELL_BATPRES 引脚电压，以 REGN = 5V 的百分比形式表示 68.4% 75.0% 81.5%
VCELL_3S 3S CELL_BATPRES 引脚电压，以 REGN = 5V 的百分比形式表示 51.7% 55.0% 65.0%
VCELL_2S 2S CELL_BATPRES 引脚电压，以 REGN = 5V 的百分比形式表示 18.4% 40.0% 48.5%
VCELL_BATPRES_RISE 存在电池 CELL_BATPRES 上升 18.0%
VCELL_BATPRES_FALL 电池被移除 CELL_BATPRES 下降 14.7%