通过 MODE 引脚可以将转换器配置为在准双相降压/升压模式下运行，请参阅表 7-1。在不同的 VBUS 和 VSYS 组合下，充电器以降压、降压/升压和升压模式运行。降压/升压模式可在三种运行模式之间无缝运行。下面列出了连续导通模式 (CCM) 下的 6 个主要开关工作状态以供参考。
- 降压模式运行：Q4 处于恒定导通状态，两个降压相位都应以 PWM_FREQ 位确定的频率进行开关。A 相和 B 相之间应存在 180 度交错，以便最大限度减小电感器总纹波，最终减小 VBUS 和 VSYS 电压纹波。由于支持切相功能，转换器可以在轻负载下自动转换到 A 相单相运行模式。转换阈值基于 SINGLE_DUAL_TRANS_TH 位配置。
- 降压/升压模式运行：在准双相配置下，2*Fsw 开关频率将分布在两个降压相位和一个升压相位之间。它们应按如下顺序进行开关：SW1_A->SW2->SW1_A->SW1_B->SW2->SW1_B->SW1_A->SW2->SW1_A... 每个相位的等效频率可通过 2*Fsw/3 算出。例如，当 PWM_FREQ=1b (600kHz) 时，A 相、B 相和升压相位桥臂将以 400kHz 的频率进行开关。
- 升压模式运行：Q1_A 和 Q1_B 应为恒定导通状态，并且升压半桥保持以 PWM_FREQ 位确定的频率进行开关。由于两个降压相位电感器并联以减小总电感器电流纹波，因此在升压模式下，开关频率将翻倍至 2*Fsw（MODE 引脚配置为准双相）。在特定的负载范围（约为 2.5A~3A）内，可能会出现一些 CCM/PFM 来回反弹。这种反弹不会在输入侧产生负输入电流，但可能会产生一些充电电流纹波。负载高于或低于此临界范围后，此问题将消失。
表 7-7 MOSFET 运行模式| 模式 | 降压 | 降压/升压 | 升压 |
|---|
| Q1_A | 在 Fsw 时开关（使用 Q1_B 交错执行） | 开关（使用 Q1_B 和 Q4 顺序执行） | 开启 |
| Q2_A | 在 Fsw 时开关（使用 Q2_B 交错执行） | 开关（使用 Q2_B 和 Q3 顺序执行） | 关闭 |
| Q1_B |
在 Fsw 时开关（使用 Q1_A 交错执行） |
开关（使用 Q1_A 和 Q4 顺序执行） |
开启 |
| Q2_B |
在 Fsw 时开关（使用 Q2_A 交错执行） |
开关（使用 Q2_A 和 Q3 顺序执行） |
关闭 |
| Q3 |
关闭 |
开关（使用 Q2_A 和 Q2_B 顺序执行） |
在 2*Fsw 时开关 |
| Q4 |
开启 |
开关（使用 Q1_A 和 Q1_B 顺序执行） |
在 2*Fsw 时开关 |