5 引脚配置和功能

图 5-1 BQ25773 36 引脚 WQFN 顶视图

表 5-1 引脚功能

引脚		I/O	说明
名称	编号	I/O	说明
LODRV1_A	1	AO	降压 A 相低侧功率 MOSFET (Q2_A) 驱动器。连接到低侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
REGN_A	2	PWR	由 VBUS 或 VSYS 供电的 5V 线性稳压器输出。当 VBUS 高于 V_{VBUS_CONVEN} 时，LDO 处于活动状态。在 REGN_A 与电源地之间连接一个 2.2μF 或 3.3μF 陶瓷电容器。REGN_A 引脚输出用于功率级栅极驱动和上拉电压源。
BTST1_A	3	PWR	降压 A 相高侧功率 MOSFET 驱动器电源。在 SW1_A 和 BTST1_A 之间连接一个 0.1μF 电容器。REGN_A 和 BTST1_A 之间的自举二极管为集成式二极管。
HIDRV1_A	4	AO	降压 A 相高侧功率 MOSFET (Q1_A) 驱动器。连接到高侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
SW1_A	5	PWR	降压 A 相开关节点。连接到 A 相降压半桥高侧 N 沟道 MOSFET 的源极。
VBUS	6	PWR	充电器输入电压。建议使用 1Ω 和 0.47µF（最小值）的输入低通滤波器。
ACN_B	7	PWR	B 相输入电流检测放大器负输入。为了抑制输入电流信号中的高频噪声，需要在检测电阻与 ACN_B 引脚之间放置一个 RC 低通滤波器。有关滤波器设计，请参阅节 8.2.2.2。
ACP_B	8	PWR	B 相输入电流检测放大器正输入。为了抑制输入电流信号中的高频噪声，需要在检测电阻与 ACP_B 引脚之间放置一个 RC 低通滤波器。有关滤波器设计，请参阅节 8.2.2.2。
ACN_A	9	PWR	A 相输入电流检测放大器负输入。为了抑制输入电流信号中的高频噪声，需要在检测电阻与 ACN_A 引脚之间放置一个 RC 低通滤波器。有关滤波器设计，请参阅节 8.2.2.2。
ACP_A	10	PWR	A 相输入电流检测放大器正输入。为了抑制输入电流信号中的高频噪声，需要在检测电阻与 ACP_A 引脚之间放置一个 RC 低通滤波器。有关滤波器设计，请参阅节 8.2.2.2。
CHRG_OK	11	DO	开漏高电平有效指示器，用于通知系统，正常电源已连接到充电器输入端。通过 10kΩ 电阻连接到上拉电源轨。当 VBUS 升至 3.5V 以上或降至 V_{ACOV_FALL} 以下时，经过 50ms 抗尖峰脉冲时间后，CHRG_OK 为高电平。当 VBUS 降至 3.2V 以下或升至 V_{ACOV_RISE} 以上时，CHRG_OK 为低电平。发生特定故障时，CHRG_OK 置为低电平。当 CHRG_STAT 通过用户寄存器 CHRG_OK_INT=1b 进行更改时，该引脚也可以配置为中断源。
EN_OTG	12	DI	高电平有效，以启用 OTG、VAP 或 FRS 模式。1) 当 OTG_VAP_MODE=1b 且 EN_OTG=1b 时，将该引脚拉至高电平可以启用 OTG 模式。2) 当 OTG_VAP_MODE=1b 且 EN_FRS =1b 时，将该引脚拉至高电平可以在正向运行中启用 FRS 模式。3) 当 OTG_VAP_MODE=0b 时，将 EN_OTG 引脚拉至高电平可以启用 VAP 模式。有关详细信息，请参阅表 7-5。
ILIM_HIZ	13	AI	输入电流限制设置引脚。通过在 REGN_A 轨与地之间连接一个电阻，对 ILIM_HIZ 电压进行编程。引脚电压的计算公式为：V_{(ILIM_HIZ)} = 1V + 40 × IINDPM × RAC，其中 IIN_DPM 是目标输入电流限制。当引脚电压高于 V_{ILIM_ENZ} 阈值时，外部电流限制功能会被禁用，并会忽略 EN_EXTILIM 位状态。当引脚电压降至 V_{ILIM_EN} 阈值以下时，外部电流限制将遵循 EN_EXTILIM 位状态。如果 EN_EXTILIM = 1b，则充电器使用的输入电流限制是 ILIM_HIZ 引脚和 IIN_HOST 寄存器的较低设置。如果 EN_EXTILIM = 0b，则输入电流限制仅由 IIN_HOST 寄存器确定。当引脚电压低于 0.4V 时，器件会以低静态电流进入高阻态 (HIZ) 模式。当引脚电压高于 0.8V 时，器件退出高阻态模式。ILIM_HIZ 引脚电压被连续读取并用于更新电流限制设置（如果 EN_EXTILIM=1b），这样可以通过调整该引脚电压来支持动态更改输入电流限制设置。
IADPT	14	AO	适配器电流监测输出引脚。V_IADPT = 20 或 40 × (V_{ACP_B} – V_{ACN_B}+V_{ACP_A} – V_{ACN_A})，可通过 IADPT_GAIN 位选择比率。在 IADPT 引脚与接地端之间放置一个 100pF 或更小的陶瓷去耦电容器。该引脚不使用时可以悬空。IADPT 输出电压钳位在 3.2V 以下。
IBAT	15	AO	电池电流监测输出引脚。对于充电电流，V_IBAT = 8 或 64 × (V_SRP – V_SRN)，对于放电电流，V_IBAT = 8 或 64 × (V_SRN – V_SRP)，可通过 IBAT_GAIN 位选择比率。在 IBAT 引脚与接地端之间放置一个 100pF 或更小的陶瓷去耦电容器。该引脚不使用时可以悬空。其输出电压钳制在 3.2V 以下。
模式	16	AI	充电器运行模式引脚。此 MODE 引脚上需要下拉电阻，请参阅表 7-1。
PSYS	17	AO	电流模式系统功率监测器。输出电流与适配器和电池的总功率成正比。增益可通过主机通信接口进行选择。在 PSYS 与接地端之间放置一个电阻器以生成输出电压。该引脚不使用时可以悬空。其输出电压钳位在 3.2V。将一个电容器与电阻器并联以进行滤波。
PROCHOT	18	DO	低电平有效开漏输出指示器。它监测适配器输入电流、电池放电电流和系统电压。触发 PROCHOT 配置中的任何事件后，系统会将一个脉冲置为有效。最小脉冲宽度可通过 PROCHOT_WIDTH 位进行调节。
SDA	19	DI/O	I²C 开漏数据 I/O。连接到主机控制器或智能电池的数据线。根据 I²C 规范连接一个 10kΩ 上拉电阻。当通信频率增加到 1MHz 时，可能需要根据线路电容相应地减小上拉电阻。
SCL	20	DI	I²C 时钟输入。连接到主机控制器或智能电池的时钟线。根据规范连接一个 10kΩ 上拉电阻。当通信频率增加到 1MHz 时，可能需要根据线路电容相应地减小上拉电阻。
CMPOUT	21	DO	独立比较器的开漏输出。将上拉电阻从 CMPOUT 连接到上拉电源轨。比较器极性和抗尖峰脉冲时间可通过用户寄存器进行选择。
CMPIN_TR	22	AI	独立比较器的输入。独立比较器将 CMPIN_TR 引脚上检测到的电压与内部基准电压进行比较，其输出位于 CMPOUT 引脚上。比较器极性和抗尖峰脉冲时间可由主机进行选择。极性为高电平 (CMP_POL = 1b) 时，应在 CMPIN_TR 和 CMPOUT 之间放置一个电阻来对迟滞进行编程。极性为低电平 (CMP_POL = 0b) 时，内部迟滞为 100mV。如果未使用独立比较器，则将 CMPIN_TR 接地。当 CMPIN_TR_SELECT=1b 时，这是用于内部补偿温度调节环路的温度反馈引脚。
CELL_BATPRES	23	AI	用于 2-5 节电池设置的电芯选择引脚。CELL_BATPRES 引脚应通过电阻分压器从 REGN_A 进行偏置（2s 时为 40%，3s 时为 55%，4s 时为 75%，5s 时为 100%）。CELL_BATPRES 引脚还将 2 节电池的 SYSOVP 阈值设置为 12V，3 节电池的 SYSOVP 阈值设置为 17V，4 节电池的 SYSOVP 阈值设置为 22V，5 节电池的 SYSOVP 阈值设置为 27V。CELL_BATPRES 引脚拉至低于 V_{CELL_BATPRES_FALL} 以指示电池移除。CELL_BATPRES 引脚上不允许连接外部电容器。从 CELL_BATPRES 引脚到 GND 的外部总下拉阻抗不应大于 1MΩ。
SRN	24	PWR	充电电流检测放大器负输入。SRN 引脚也用于电池电压检测。在电池充电检测电阻上连接一个 0.1μF 滤波电容器，并在 SRN 引脚和电池充电检测电阻之间使用 10Ω 接触电阻。
SRP	25	PWR	充电电流检测放大器正输入。在电池充电检测电阻上连接一个 0.1μF 滤波电容器，并在 SRP 引脚和电池充电检测电阻之间使用 10Ω 接触电阻。
BATDRV	26	AO	N 沟道电池 FET (BATFET) 栅极驱动器输出。短接至 SRP 可关断 BATFET。比 SRP 高 5V 可完全导通 BATFET。BATFET 处于线性模式，会在电池电量消耗到 VSYS_MIN() 设置以下时将 VSYS 调节到 VSYS_MIN()。BATFET 在快速充电期间完全导通，并在补充模式下用作理想二极管。
VSYS	27	PWR	充电器系统电压检测引脚。
SW2	28	PWR	升压侧开关节点。连接到升压半桥高侧 N 沟道 MOSFET 的源极。
HIDRV2	29	AO	升压高侧功率 MOSFET (Q4) 驱动器。连接到高侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
BTST2	30	PWR	升压高侧功率 MOSFET 驱动器电源。在 SW2 和 BTST2 之间连接一个 0.1μF 电容器。REGN_B 和 BTST2 之间的自举二极管为集成式二极管。
LODRV2	31	AO	升压低侧功率 MOSFET (Q3) 驱动器。连接到低侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
REGN_B	32	PWR	由 VBUS 或 VSYS 供电的 5V 线性稳压器输出。当 VBUS 高于 V_{VBUS_CONVEN} 时，LDO 处于活动状态。在 REGN_B 与电源地之间连接一个 2.2μF 或 3.3μF 陶瓷电容器。REGN_B 引脚输出用于功率级栅极驱动。在内部连接到 REGN_A。
LODRV1_B	33	AO	降压 B 相低侧功率 MOSFET (Q2_B) 驱动器。连接到低侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
BTST1_B	34	PWR	降压 B 相高侧功率 MOSFET 驱动器电源。在 SW1_B 和 BTST1_B 之间连接一个 0.1μF 电容器。REGN_B 和 BTST1_B 之间的自举二极管为集成式二极管。
HIDRV1_B	35	AO	降压 B 相高侧功率 MOSFET (Q1_B) 驱动器。连接到高侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
SW1_B	36	PWR	降压侧 B 相开关节点。连接到 B 相降压半桥高侧 N 沟道 MOSFET 的源极。
底部焊盘 (PGND)	–	PWR	IC 下方的外露焊盘作为通用 PGND。除非另有说明，否则信号以 PGND 引脚为基准。使用底部焊盘作为散热焊盘。在连接到电源接地平面的散热焊盘平面上有多个过孔。