ZHCSNU2 September   2024 BQ25773

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ2577X
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器（IADPT 和 IBAT）
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制（峰值功率模式）
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  电池过压保护 (BATOVP)
        6. 7.3.26.6  电池充电过流保护 (BATCOC)
        7. 7.3.26.7  电池放电过流保护 (BATDOC)
        8. 7.3.26.8  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        9. 7.3.26.9  VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        10. 7.3.26.10 高占空比降压模式退出比较器保护 (HDBCP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
        1. 7.5.1.1 时序图
        2. 7.5.1.2 数据有效性
        3. 7.5.1.3 启动条件和停止条件
        4. 7.5.1.4 字节格式
        5. 7.5.1.5 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        6. 7.5.1.6 目标地址和数据方向位
        7. 7.5.1.7 单独读取和写入
        8. 7.5.1.8 多重读取和多重写入
        9. 7.5.1.9 写入 2 字节 I2C 命令
    6. 7.6 BQ25773 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 用于电压尖峰阻尼的输入缓冲器和滤波器
        2. 8.2.2.2 ACP-ACN 输入滤波器
        3. 8.2.2.3 电感器选型
        4. 8.2.2.4 输入电容器
        5. 8.2.2.5 输出电容器
        6. 8.2.2.6 功率 MOSFET 选择
  10. 9 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 布局示例参考顶视图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

8.2.2.1 用于电压尖峰阻尼的输入缓冲器和滤波器

在适配器热插拔过程中，来自适配器电缆的寄生电感和输入电容器构成二阶系统。VBUS 引脚上的电压尖峰可能超出 IC 最大额定电压并损坏 IC。必须仔细设计和测试输入滤波器，以防止 VBUS 引脚上发生过压事件。

在适配器热插拔过程中，有多种方法可以抑制或限制过压尖峰。具有高 ESR 的电解电容器用作输入电容器，可将过压尖峰抑制到远低于 IC 最大引脚电压额定值的水平。高电流能力 TVS 齐纳二极管还可以将过压电平限制为 IC 安全电平。但是，这两种解决方案的成本可能较高，且尺寸较大。

图 8-2 展示了一种具有成本效益的小尺寸解决方案。R1 和 C1 由阻尼 RC 网络组成，可抑制热插拔振荡。因此，过压尖峰被限制在一个安全的电平。D1 用于 VBUS 引脚的反向电压保护。C2 是 VBUS 引脚去耦电容器，应尽可能靠近 VBUS 引脚放置。C2 值应小于 C1值，因此 R1 可能影响到等效 ESR 值，从而获得足够的阻尼效应。R2 用于限制 D1 的浪涌电流，防止在适配器热插拔时 D1 损坏。R2 和 C2 应具有 10µs 时间常数，来限制 VBUS 引脚上的 dv/dt，从而在适配器热插拔时减小浪涌电流。R1 具有高浪涌电流。R1 封装的尺寸必须足以根据电阻制造商的数据表处理浪涌电流功率损耗。滤波器元件的值始终需要通过实际应用进行验证，并且可能需要进行细微调整才能适应实际应用电路。

BQ25773 输入滤波器图 8-2 输入滤波器