该器件通过内部电源选择器选择从 VBUS 或 VBAT 的较高电压上电。当 VBUS 超过 V_{VBUS_UVLOZ} 或 VBAT 超过 V_{VBAT_UVLOZ} 的时间达到 5ms 时，充电器将启动。POR（上电复位）时，充电器将所有寄存器复位为默认状态。在经过 5ms 后，主机可以访问用户寄存器。当 VBAT > VBAT_UVLO 时：如果 VBUS 降至低于 VBUS_UVLO，则会检测到适配器被移除，从而进入仅电池低功耗模式。当 VBAT < VBAT_UVLO 时：如果 VBUS 降至低于 VBUS_UVLO，则器件将关闭而不进行 I2C 通信，当 VBUS 升至高于 VBUS_UVLOZ 时，器件将执行 POR。

充电器从 VBUS 上电时的上电序列：

• VBUS 上升到高于 V_{VBUS_UVLOZ} 后，有 50ms 的抗尖峰脉冲时间。在这 50ms 的抗尖峰脉冲时间过后，充电器启用 REGN_A/B LDO。一旦 REGN_A/B 电压上升，CHRG_OK 引脚变为高电平，STAT_AC 设置为 1b。（如果 EN_LWPWR 设置为 0b，则器件将处于性能模式，如果在插入 VBUS 之前存在电池，REGN_A/B 将保持开启）
• 在器件 POR 之后会执行 MODE 引脚检测，以确定转换器拓扑、转换器补偿选项和转换器开关频率。
• 随后执行 VBUS 鉴定。VBUS 鉴定过程中，在 VBUS 引脚上添加一个内部 20mA 灌电流 100ms 脉冲，以确保输入源足以通过鉴定。在这 100ms 期间，如果 V_{VBUS_CONVEN} < VBUS < V_{ACOV_RISE}，则充电器将通过 VBUS 鉴定并继续执行下一步。但是，如果 V_{VBUS_UVLOZ} < VBUS < V_{VBUS_CONVEN} 或 VBUS > V_{ACOV_RISE}，则充电器无法通过 VBUS 鉴定，充电器会每 2 秒重新鉴定一次 VBUS。在这 2 秒内，即使 VBUS 上升至高于 V_{VBUS_CONVEN}，转换器仍会由于开始时未通过 VBUS 鉴定而关闭。
• 在 VBUS 鉴定期间会读取 CELL_BATPRES 引脚电压下的电池电芯配置，并与 REGN_A/B 比较以确定电芯配置。CHARGE_VOLTAGE()、CHARGE_CURRENT()、VRECHG()、VSYS_MIN() 和 SYSOVP 阈值的默认值将分别加载。此外，还会在 ILIM_HIZ 引脚稳态电压下检测 IINDPM。
• 通过鉴定后会执行一次 VBUS ADC 以读取空载 VBUS 电压，并将值保存到 ADC_VBUS() 寄存器中。
• 检查 VBUS 和 ACP_A (VBUS-ACP_A) 之间的电压是否低于 V_{SC_VBUSACP_FALLING}，以确保电子保险丝或 PFET 完全导通。如果不是，请保持转换器的上电状态，直到不触发 SC_VBUSACP。
• 通常，在 VBUS 高于 V_{VBUS_CONVEN} 达到 226ms 时，转换器上电。如果 SC_VBUSACP 保持触发状态，则转换器上电可能会等待，直到清除该状态。

充电器从 VBAT 上电时的上电序列：

• 如果仅存在电池且电压高于 V_{VBAT_UVLOZ}，则充电器将充电，BATFET 导通，并将电池连接到系统。
• 在器件 POR 之后会立即执行 MODE 引脚检测，以确定转换器拓扑、转换器补偿选项和转换器开关频率。
• 默认情况下，充电器处于低功耗模式 (EN_LWPWR = 1b) 且静态电流最低。REGN_A/B LDO 默认为关闭状态，但当 EN_LWPWR=1 时，LDO 会开启，LDO 电流限制会降低至 5mA，以便最大限度减小静态电流。
• 适配器存在比较器被激活以监测 VBUS 电压。
• SDA 和 SDL 线路处于等待主机命令的待机状态。
• 器件可以通过配置 EN_LWPWR = 0b 切换到性能模式。主机可以通过设置 EN_IBAT = 1b 来启用 IBAT 缓冲器，从而监测放电电流。PSYS 也可以由主机启用。当 CELL_BATPRES 引脚上拉或 REGN_A/B 从 GND 上升至稳态值时，会执行一次 CELL_BATPRES 引脚检测。请注意，在仅电池低功耗模式下，不会执行 CELL_BATPRES 检测。
• 在性能模式下，REGN_A/B LDO 始终可用于为转换器提供精确的基准电压和栅极驱动电压。