ZHCSNU2 September   2024 BQ25773

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性 - BQ2577X
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  上电序列
      2. 7.3.2  MODE 引脚检测
      3. 7.3.3  REGN 稳压器 (REGN LDO)
      4. 7.3.4  独立比较器功能
      5. 7.3.5  电池充电管理
        1. 7.3.5.1 自主充电周期
        2. 7.3.5.2 电池充电曲线
        3. 7.3.5.3 充电终止
        4. 7.3.5.4 充电安全计时器
      6. 7.3.6  温度调节 (TREG)
      7. 7.3.7  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      8. 7.3.8  两级电池放电电流限制
      9. 7.3.9  快速角色交换功能
      10. 7.3.10 CHRG_OK 指示器
      11. 7.3.11 输入电流和充电电流检测
      12. 7.3.12 输入电流和电压限制设置
      13. 7.3.13 电池电芯配置
      14. 7.3.14 器件高阻态状态
      15. 7.3.15 USB On-The-Go (OTG)
      16. 7.3.16 准双相位转换器运行模式
      17. 7.3.17 连续导通模式 (CCM)
      18. 7.3.18 脉冲频率调制 (PFM)
      19. 7.3.19 开关频率和抖动功能
      20. 7.3.20 电流和功率监控器
        1. 7.3.20.1 高精度电流检测放大器(IADPT 和 IBAT)
        2. 7.3.20.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      21. 7.3.21 输入源动态电源管理
      22. 7.3.22 用于监测的集成 16 位 ADC
      23. 7.3.23 输入电流优化器 (ICO)
      24. 7.3.24 两级适配器电流限制(峰值功率模式)
      25. 7.3.25 处理器热量指示
        1. 7.3.25.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 7.3.25.2 PROCHOT 状态
      26. 7.3.26 器件保护
        1. 7.3.26.1  看门狗计时器 (WD)
        2. 7.3.26.2  输入过压保护 (ACOV)
        3. 7.3.26.3  输入过流保护 (ACOC)
        4. 7.3.26.4  系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 7.3.26.5  电池过压保护 (BATOVP)
        6. 7.3.26.6  电池充电过流保护 (BATCOC)
        7. 7.3.26.7  电池放电过流保护 (BATDOC)
        8. 7.3.26.8  LDO 调节模式下的 BATFET 充电电流钳位保护
        9. 7.3.26.9  VBUS 和 ACP_A 之间的睡眠比较器保护 (SC_VBUSACP)
        10. 7.3.26.10 高占空比降压模式退出比较器保护 (HDBCP)
        11. 7.3.26.11 REGN 电源正常保护 (REGN_PG)
        12. 7.3.26.12 系统欠压锁定 (VSYS_UVP) 和断续模式
        13. 7.3.26.13 OTG 模式过压保护 (OTG_OVP)
        14. 7.3.26.14 OTG 模式欠压保护 (OTG_UVP)
        15. 7.3.26.15 热关断 (TSHUT)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正向模式
        1. 7.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 7.4.1.2 电池充电
      2. 7.4.2 USB On-The-Go 模式
      3. 7.4.3 直通模式 (PTM) 专利技术
      4. 7.4.4 学习模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
        1. 7.5.1.1 时序图
        2. 7.5.1.2 数据有效性
        3. 7.5.1.3 启动条件和停止条件
        4. 7.5.1.4 字节格式
        5. 7.5.1.5 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        6. 7.5.1.6 目标地址和数据方向位
        7. 7.5.1.7 单独读取和写入
        8. 7.5.1.8 多重读取和多重写入
        9. 7.5.1.9 写入 2 字节 I2C 命令
    6. 7.6 BQ25773 寄存器
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 用于电压尖峰阻尼的输入缓冲器和滤波器
        2. 8.2.2.2 ACP-ACN 输入滤波器
        3. 8.2.2.3 电感器选型
        4. 8.2.2.4 输入电容器
        5. 8.2.2.5 输出电容器
        6. 8.2.2.6 功率 MOSFET 选择
  10. 电源相关建议
  11. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 布局示例参考顶视图
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息

电池电芯配置

CELL_BATPRES 引脚通过 REGN_A/B 到 GND 之间的电阻分压器进行偏置。在 REGN_A/B 斜升或 CELL_BATPRES 引脚斜升后,器件会在 2ms 的延时时间后通过 CELL_BATPRES 引脚偏置电压检测电池配置。CELL_BATPRES 引脚上不允许连接外部电容器。当 CELL_BATPRES 引脚在器件启动过程开始时下拉至 GND 时,CHARGE_VOLTAGE()、SYSOVP、VSYS_MIN() 和 VRECHG() 遵循下表中的“电池移除”行的相应值。

在移除电池的情况下启动器件后,CELL_BATPRES 引脚应通过外部 MOSFET 下拉至低电平,如应用示意图中所示。如果 CELL_BATPRES 引脚被拉至低于 VCELL_BATPRES_FALL 的时间达 1ms 抗尖峰脉冲时间,则器件会通过复位 CHARGE_CURRENT()=000h 且 EN_AUTO_CHG=0b 来禁用充电;同时,CHARGE_VOLTAGE()、SYSOVP、VSYS_MIN() 和 VRECHG() 不会改变。当 REGN_A/B 电压上升或者 CELL_BATPRES 引脚升高至高于 VCELL_BATPRES_RISE 时,器件应以 2ms 的延时时间重新读取电芯配置:如果之前 EC 没有更改过 CHARGE_VOLTAGE()、SYSOVP、VSYS_MIN() 和 VRECHG(),它们应重新检测为相应的电芯设置默认值;如果之前 EC 更改了任何 CHARGE_VOLTAGE()、SYSOVP、VSYS_MIN() 和 VRECHG() 值,它们的值不应再受新检测过程的影响。为了避免 EC 来回写入目标值,这是必需的。请参阅表 7-6,了解对于不同电芯数的 CELL_BATPRES 引脚配置典型电压。请注意器件是否处于学习模式 (EN_LEARN=1b)。将 CELL_BATPRES 引脚拉至低电平会将 EN_LEARN 位清除为 0b 并强制器件退出学习模式。

当 CELL_BATPRES 引脚被拉至地时,表示电池已移除。由于没有电池补电,充电器可以通过将 EN_IIN_DPM 设置为 0 来自动禁用 IIN_DPM,从而最大限度减少 VSYS 压降。通过设置 IIN_DPM_AUTO_DISABLE=1b 即可启用该功能。主机稍后可以通过向 EN_IIN_DPM 位写入 1 来重新启用 IIN_DPM 功能。

表 7-6 电池电芯配置
电芯数 引脚电压,基准为 REGN_A/B CHARGE_VOLTAGE() SYSOVP VSYS_MIN VRECHG
5S 100% 21.000V 27V 15.4V 500mV
4S 75% 16.800V 22V 12.3V 400mV
3S 55% 12.600V 17V 9.2V 300mV
2S 40% 8.400V 12V 6.6V 200mV
电池移除 0% 8.400V 27V 6.6V 200mV