ZHCSNU2 September 2024 BQ25773
PRODUCTION DATA
CELL_BATPRES 引脚通过 REGN_A/B 到 GND 之间的电阻分压器进行偏置。在 REGN_A/B 斜升或 CELL_BATPRES 引脚斜升后,器件会在 2ms 的延时时间后通过 CELL_BATPRES 引脚偏置电压检测电池配置。CELL_BATPRES 引脚上不允许连接外部电容器。当 CELL_BATPRES 引脚在器件启动过程开始时下拉至 GND 时,CHARGE_VOLTAGE()、SYSOVP、VSYS_MIN() 和 VRECHG() 遵循下表中的“电池移除”行的相应值。
在移除电池的情况下启动器件后,CELL_BATPRES 引脚应通过外部 MOSFET 下拉至低电平,如应用示意图中所示。如果 CELL_BATPRES 引脚被拉至低于 VCELL_BATPRES_FALL 的时间达 1ms 抗尖峰脉冲时间,则器件会通过复位 CHARGE_CURRENT()=000h 且 EN_AUTO_CHG=0b 来禁用充电;同时,CHARGE_VOLTAGE()、SYSOVP、VSYS_MIN() 和 VRECHG() 不会改变。当 REGN_A/B 电压上升或者 CELL_BATPRES 引脚升高至高于 VCELL_BATPRES_RISE 时,器件应以 2ms 的延时时间重新读取电芯配置:如果之前 EC 没有更改过 CHARGE_VOLTAGE()、SYSOVP、VSYS_MIN() 和 VRECHG(),它们应重新检测为相应的电芯设置默认值;如果之前 EC 更改了任何 CHARGE_VOLTAGE()、SYSOVP、VSYS_MIN() 和 VRECHG() 值,它们的值不应再受新检测过程的影响。为了避免 EC 来回写入目标值,这是必需的。请参阅表 7-6,了解对于不同电芯数的 CELL_BATPRES 引脚配置典型电压。请注意器件是否处于学习模式 (EN_LEARN=1b)。将 CELL_BATPRES 引脚拉至低电平会将 EN_LEARN 位清除为 0b 并强制器件退出学习模式。
当 CELL_BATPRES 引脚被拉至地时,表示电池已移除。由于没有电池补电,充电器可以通过将 EN_IIN_DPM 设置为 0 来自动禁用 IIN_DPM,从而最大限度减少 VSYS 压降。通过设置 IIN_DPM_AUTO_DISABLE=1b 即可启用该功能。主机稍后可以通过向 EN_IIN_DPM 位写入 1 来重新启用 IIN_DPM 功能。
| 电芯数 | 引脚电压,基准为 REGN_A/B | CHARGE_VOLTAGE() | SYSOVP | VSYS_MIN | VRECHG |
|---|---|---|---|---|---|
| 5S | 100% | 21.000V | 27V | 15.4V | 500mV |
| 4S | 75% | 16.800V | 22V | 12.3V | 400mV |
| 3S | 55% | 12.600V | 17V | 9.2V | 300mV |
| 2S | 40% | 8.400V | 12V | 6.6V | 200mV |
| 电池移除 | 0% | 8.400V | 27V | 6.6V | 200mV |