ZHCSLU2D December 2021 – October 2025 LM63440-Q1 , LM63460-Q1
PRODUCTION DATA
该转换器通过对高侧和低侧 MOSFET 实施逐周期电流限制,在过流情况下提供保护。高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时,将检测到高侧开关电流。在每个开关周期,会将该开关电流与固定电流设定点或和电压调节环路输出减去斜率补偿后的较小值进行比较。由于电压环路输出具有最大值并且斜率补偿随占空比增加,因此当占空比高于 35%,高侧电流限值会随着占空比的增加而减小。请参阅 图 7-8。
当低侧开关接通时,也会检测和监控开关电流。与高侧器件一样,低侧开关会根据电压控制环路和低侧电流限制关闭。如果低侧开关电流在开关周期结束时高于 IL-LS,则开关周期会延长,直到低侧电流降至限值以下。一旦低侧电流降至限值以下,低侧开关关断,只要自高侧器件上次导通后至少经过一个时钟周期,高侧开关就会再次导通。
因为电流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之间,因此最大输出电流非常接近这两个值的平均值。使用了迟滞控制,并且当输出电压接近零时,电流不会增加。
如果存在极端过载情况,该转换器会采用断续过流保护,并且在连续 128 个开关周期内满足以下条件:
在断续模式下,器件会关断,并在 tW 后尝试软启动。断续模式有助于在严重过流和短路情况下降低器件功耗。请参阅 图 7-10。一旦消除过载,器件就会像在软启动中一样恢复;请参阅图 7-11。