ZHCSIT4C September   2018  – December 2025 LM5164-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  控制架构
      2. 6.3.2  内部 VCC 稳压器和自举电容器
      3. 6.3.3  调节比较器
      4. 6.3.4  内部软启动
      5. 6.3.5  接通时间发生器
      6. 6.3.6  电流限值
      7. 6.3.7  N 通道降压开关和驱动器
      8. 6.3.8  同步整流器
      9. 6.3.9  使能/欠压锁定 (EN/UVLO)
      10. 6.3.10 电源正常 (PGOOD)
      11. 6.3.11 过热保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断模式
      2. 6.4.2 工作模式
      3. 6.4.3 睡眠模式
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 7.2.2.2 开关频率 (RRON)
        3. 7.2.2.3 降压电感器 (LO)
        4. 7.2.2.4 输出电容器 (COUT)
        5. 7.2.2.5 输入电容器 (CIN)
        6. 7.2.2.6 3 型纹波网络
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 专为降低 EMI 而设计的紧凑型 PCB 布局
        2. 7.4.1.2 反馈电阻器
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
      2. 8.1.2 开发支持
        1. 8.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

同步整流器

LM5164-Q1 提供了一个内部低侧同步整流器 N 沟道 MOSFET。当高侧 MOSFET 关断时,此 MOSFET 为电感器电流提供了一条低电阻路径。

同步整流器在二极管仿真模式下运行。二极管仿真使稳压器能够在轻负载条件下以脉冲跳跃模式运行。此模式会导致轻负载下的平均开关频率降低。MOSFET 开关和 FET 栅极驱动器损耗均与开关频率成正比,在极轻负载时会显著降低,效率得到提升。这种脉冲跳跃模式还可降低在轻负载时与传统 CCM 相关的循环电感器电流和损耗。