ZHCSIT4C September 2018 – December 2025 LM5164-Q1
PRODUCTION DATA
LM5164-Q1 提供了一个内部低侧同步整流器 N 沟道 MOSFET。当高侧 MOSFET 关断时,此 MOSFET 为电感器电流提供了一条低电阻路径。
同步整流器在二极管仿真模式下运行。二极管仿真使稳压器能够在轻负载条件下以脉冲跳跃模式运行。此模式会导致轻负载下的平均开关频率降低。MOSFET 开关和 FET 栅极驱动器损耗均与开关频率成正比,在极轻负载时会显著降低,效率得到提升。这种脉冲跳跃模式还可降低在轻负载时与传统 CCM 相关的循环电感器电流和损耗。