ZHCSIT4C September   2018  – December 2025 LM5164-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  控制架构
      2. 6.3.2  内部 VCC 稳压器和自举电容器
      3. 6.3.3  调节比较器
      4. 6.3.4  内部软启动
      5. 6.3.5  接通时间发生器
      6. 6.3.6  电流限值
      7. 6.3.7  N 通道降压开关和驱动器
      8. 6.3.8  同步整流器
      9. 6.3.9  使能/欠压锁定 (EN/UVLO)
      10. 6.3.10 电源正常 (PGOOD)
      11. 6.3.11 过热保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断模式
      2. 6.4.2 工作模式
      3. 6.4.3 睡眠模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 7.2.2.2 开关频率 (RRON)
        3. 7.2.2.3 降压电感器 (LO)
        4. 7.2.2.4 输出电容器 (COUT)
        5. 7.2.2.5 输入电容器 (CIN)
        6. 7.2.2.6 3 型纹波网络
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 专为降低 EMI 而设计的紧凑型 PCB 布局
        2. 7.4.1.2 反馈电阻器
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
      2. 8.1.2 开发支持
        1. 8.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.4.1.1 专为降低 EMI 而设计的紧凑型 PCB 布局

高电流变化率 (di/dt) 元件产生的辐射 EMI 与开关转换器中的脉冲电流相关。脉冲电流路径覆盖的面积越大，产生的电磁辐射就越多。更大限度地减小辐射 EMI 的关键是识别脉冲电流路径并尽可能地减小该路径覆盖的面积。

图 7-16 表示降压转换器功率级与 EMI 相关的关键开关环路。降压转换器的拓扑结构意味着在由输入电容器和 LM5164-Q1 的集成 MOSFET 组成的环路中存在一条电流变化率特别高的电流路径，因此必须尽可能减小有效环路面积，以此来减少此环路的寄生电感。

LM5164-Q1 具有功率级电路开关环路的直流/直流降压转换器图 7-16 具有功率级电路开关环路的直流/直流降压转换器

输入电容器为高侧 MOSFET 电流的高电流变化率元件提供初级路径。尽可能靠近 VIN 引脚和 GND 引脚放置陶瓷电容器是降低 EMI 的关键所在。连接 SW 和电感器的走线应尽可能短，并且宽度应足以承载负载电流而不会出现过热现象。为电流传导路径使用短而厚的走线或覆铜（形状），以尽可能减小寄生电阻。将输出电容器放在靠近电感器 VOUT 侧的位置，并将电容器的返回端子连接到 LM5164-Q1 的 GND 引脚和外露焊盘。