ZHCSIT4C September   2018  – December 2025 LM5164-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  控制架构
      2. 6.3.2  内部 VCC 稳压器和自举电容器
      3. 6.3.3  调节比较器
      4. 6.3.4  内部软启动
      5. 6.3.5  接通时间发生器
      6. 6.3.6  电流限值
      7. 6.3.7  N 通道降压开关和驱动器
      8. 6.3.8  同步整流器
      9. 6.3.9  使能/欠压锁定 (EN/UVLO)
      10. 6.3.10 电源正常 (PGOOD)
      11. 6.3.11 过热保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 关断模式
      2. 6.4.2 工作模式
      3. 6.4.3 睡眠模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 7.2.2.2 开关频率 (RRON)
        3. 7.2.2.3 降压电感器 (LO)
        4. 7.2.2.4 输出电容器 (COUT)
        5. 7.2.2.5 输入电容器 (CIN)
        6. 7.2.2.6 3 型纹波网络
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 专为降低 EMI 而设计的紧凑型 PCB 布局
        2. 7.4.1.2 反馈电阻器
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
      2. 8.1.2 开发支持
        1. 8.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

6.3.6 电流限值

LM5164-Q1 使用峰值电感电流的逐周期电流限制来管理过流情况。每个开关周期都会将在高侧 MOSFET 中检测到的电流与电流限制阈值 (1.5A) 进行比较。为了保护转换器免受潜在电流失控情况的影响，LM5164-Q1 包含折返谷值电流限制功能（限值设置为 1.2A），如果检测到峰值电流限值，则会启用该功能。如图 6-1 所示，如果高侧 MOSFET 中的峰值电流超过 1.5A（典型值），则无论编程的导通时间 (tON) 如何，当前周期都会立即终止，高侧 MOSFET 将关断，并且将激活折返谷值电流限制。低侧 MOSFET 保持导通状态，直到电感器电流降至此折返谷值电流限值以下，然后启动下一个导通脉冲。这种方法折返开关频率以防止过热，并将平均输出电流限制为小于 1.5A，以确保 LM5164-Q1 获得适当的短路和重负载保护。

LM5164-Q1 电流限值时序图图 6-1 电流限值时序图

经过高侧 MOSFET 导通转换后的前沿消隐时间后检测电流。电流限值比较器的传播延迟为 100ns。在导通时间小于 100ns 的高降压条件下，低侧 FET 中的备用峰值电流限值比较器也设置为 1.5A，使折返谷值电流限值设置为 1.2A。这种出色的电流限制方案可实现超低占空比运行，从而允许进行较大的降压转换，同时确保为转换器提供强大的保护。