ZHCSGP0B July 2017 – June 2025 TPS7A39
PRODUCTION DATA
每个 LDO 都能快速响应输入电源(线路瞬态)或输出电流(负载瞬态)上的瞬态。该 LDO 具有高电源抑制比 (PSRR),当与低内部本底噪声 (Vn) 结合使用时,LDO 近似于交流和大信号条件下的理想电源。
此器件的性能和内部布局大大减少了从一个通道到另外一个通道的噪声耦合(串扰)。良好的印刷电路板 (PCB) 布局可更大限度地减少串扰。
降噪和软启动电容 (CNR/SS) 和前馈电容 (CFFx) 可轻松降低器件本底噪声并改善 PSRR;有关优化噪声和 PSRR 性能的更多信息,请参阅优化噪声和 PSRR 部分。