ZHCSEB0D
September 2015 – July 2018
CC1310
PRODUCTION DATA.
1
器件概述
1.1
特性
1.2
应用
1.3
说明
1.4
功能框图
2
修订历史记录
3
Device Comparison
3.1
Related Products
4
Terminal Configuration and Functions
4.1
Pin Diagram – RSM Package
4.2
Signal Descriptions – RSM Package
4.3
Pin Diagram – RHB Package
4.4
Signal Descriptions – RHB Package
4.5
Pin Diagram – RGZ Package
4.6
Signal Descriptions – RGZ Package
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
ESD Ratings
5.3
Recommended Operating Conditions
5.4
Power Consumption Summary
5.5
RF Characteristics
5.6
Receive (RX) Parameters, 861 MHz to 1054 MHz
5.7
Receive (RX) Parameters, 431 MHz to 527 MHz
5.8
Transmit (TX) Parameters, 861 MHz to 1054 MHz
5.9
Transmit (TX) Parameters, 431 MHz to 527 MHz
5.10
PLL Parameters
5.11
ADC Characteristics
5.12
Temperature Sensor
5.13
Battery Monitor
5.14
Continuous Time Comparator
5.15
Low-Power Clocked Comparator
5.16
Programmable Current Source
5.17
DC Characteristics
5.18
Thermal Characteristics
5.19
Timing and Switching Characteristics
5.19.1
Reset Timing
Table 5-1
Reset Timing
5.19.2
Wakeup Timing
Table 5-2
Wakeup Timing
5.19.3
Clock Specifications
Table 5-3
24-MHz Crystal Oscillator (XOSC_HF)
Table 5-4
32.768-kHz Crystal Oscillator (XOSC_LF)
Table 5-5
48-MHz RC Oscillator (RCOSC_HF)
Table 5-6
32-kHz RC Oscillator (RCOSC_LF)
5.19.4
Flash Memory Characteristics
Table 5-7
Flash Memory Characteristics
5.19.5
Synchronous Serial Interface (SSI) Characteristics
Table 5-8
Synchronous Serial Interface (SSI) Characteristics
5.20
Typical Characteristics
6
Detailed Description
6.1
Overview
6.2
Main CPU
6.3
RF Core
6.4
Sensor Controller
6.5
Memory
6.6
Debug
6.7
Power Management
6.8
Clock Systems
6.9
General Peripherals and Modules
6.10
Voltage Supply Domains
6.11
System Architecture
7
Application, Implementation, and Layout
7.1
Application Information
7.2
TI Design or Reference Design
8
器件和文档支持
8.1
器件命名规则
8.2
工具和软件
8.3
文档支持
8.4
德州仪器 (TI) 低功耗射频网站
8.5
其他信息
8.6
社区资源
8.7
商标
8.8
静电放电警告
8.9
出口管制提示
8.10
术语表
9
机械、封装和可订购信息
9.1
封装信息
1.1
特性
微控制器
性能强大的 Arm®Cortex®-M3 处理器
EEMBC CoreMark®评分:142
EEMBC ULPBench™评分:158
时钟速率最高可达 48MHz
32KB、64KB 和
128KB 系统内可编程闪存
8KB 缓存静态随机存取存储器 (SRAM)
(或用作通用 RAM)
20KB 超低泄漏 SRAM
2 引脚 cJTAG 和 JTAG 调试
支持无线 (OTA) 升级
超低功耗传感器控制器
可独立于系统其余部分自主运行
16 位架构
2KB 超低泄漏代码和数据 SRAM
有效的代码尺寸架构,在 ROM 中放置
TI-RTOS、驱动程序、引导加载程序的部件
与 RoHS 兼容的封装
7mm × 7mm RGZ VQFN48 封装(30 个通用输入/输出 (GPIO))
5mm × 5mm RHB VQFN32 封装(15 个 GPIO)
4mm × 4mm RSM VQFN32 封装(10 个 GPIO)
外设
所有数字外设引脚均可连接任意 GPIO
四个通用定时器模块
(8 × 16 位或 4 × 32 位,均采用脉宽调制 (PWM))
12 位模数转换器 (ADC)、200MSPS、8 通道模拟多路复用器
持续时间比较器
超低功耗时钟比较器
可编程电流源
UART
2 个同步串行接口 (SSI)(SPI、MICROWIRE 和 TI)
I
2
C、I2S
实时时钟 (RTC)
AES-128 安全模块
真随机数发生器 (TRNG)
支持八个电容感测按钮
集成温度传感器
空白
空白
空白
空白
外部系统
片上内部直流/直流转换器
无缝集成 SimpleLink™CC1190 范围扩展器
低功耗
宽电源电压范围:1.8 至 3.8V
RX:5.4mA
TX(+10dBm 时):13.4mA
Coremark 运行时的 48MHz 有源模式微控制器 (MCU):2.5mA (51µA/MHz)
有源模式 MCU:48.5 CoreMark/mA
有源模式传感器控制器(24 MHz):
0.4mA + 8.2μA/MHz
传感器控制器,每秒唤醒一次来执行一次 12 位 ADC 采样:0.95µA
待机电流:0.7μA(实时时钟 (RTC) 运行,RAM 和 CPU 保持)
关断电流:185nA(发生外部事件时唤醒)
射频 (RF) 部分
出色的接收器灵敏度:远距离模式下为 –124dBm;50kbps 时为 –110dBm
出色的可选择性 (±100kHz):56dB
出色的阻断性能 (±10MHz):
90dB
可编程输出功率:时最高可达 +9dBm
单端或差分 RF 接口
适用于符合全球射频规范的系统
ETSI EN 300 220 和 EN 303 204(欧洲)
FCC CFR47 第 15 部分(美国)
ARIB STD-T108(日本)
无线 M-Bus (EN 13757-4) 和 IEEE®802.15.4g PHY
工具和开发环境
功能全面的低成本开发套件
针对不同 RF 配置的多种参考设计
数据包监听器 PC 软件
Sensor Controller Studio
SmartRF™Studio
SmartRF Flash Programmer 2
IAR Embedded Workbench®(适用于 Arm)
Code Composer Studio™(CCS) IDE
CCS UniFlash