ZHCSE07C July   2015  – August 2026 INA226-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 基本 ADC 功能
        1. 6.3.1.1 功率计算
        2. 6.3.1.2 警报引脚
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 均值计算和转换时间注意事项
      2. 6.4.2 滤波和输入考虑
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 对校准寄存器进行编程
      2. 6.5.2 对功率测量引擎进行编程
        1. 6.5.2.1 校准寄存器和缩放
      3. 6.5.3 电流分流监控器简单用法（无需编程）
      4. 6.5.4 默认设置
      5. 6.5.5 总线概述
        1. 6.5.5.1 串行总线地址
        2. 6.5.5.2 串行接口
        3. 6.5.5.3 对 INA226-Q1 进行写入和读取
          1. 6.5.5.3.1 高速 I2C 模式
        4. 6.5.5.4 SMBus 警报响应
  8. 7 寄存器
    1. 7.1 寄存器映射
      1. 7.1.1  配置寄存器 (00h)（读取/写入）
      2. 7.1.2  分流电压寄存器 01h（只读）
      3. 7.1.3  总线电压寄存器 02h（只读）
      4. 7.1.4  功率寄存器 (03h)（只读）
      5. 7.1.5  电流寄存器 (04h)（只读）
      6. 7.1.6  校准寄存器 (05h)（读取/写入）
      7. 7.1.7  屏蔽/使能寄存器 (06h)（读取/写入）
      8. 7.1.8  警报限值寄存器 (07h)（读取/写入）
      9. 7.1.9  制造商 ID 寄存器 (FEh)（只读）
      10. 7.1.10 裸片 ID 寄存器 (FFh)（只读）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 高侧检测电路应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

5.5 电气特性

TA = 25°C，VVS = 3.3V，VIN+ = 12V，VSENSE = (VIN+ – VIN–) = 0mV 且 VVBUS = 12V，除非另有说明
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
分流电压输入范围 -81.9175 81.92 mV
总线电压输入范围(1) 0 36 V
CMRR 共模抑制 0V ≤ VIN+ ≤ 36V 126 140 dB
VOS 分流偏移电压，RTI(2) ±2.5 ±10 μV
分流偏移电压、RTI(2) 与温度间的关系 –40°C ≤ TA ≤ 125°C 0.02 0.1 μV/°C
PSRR 分流偏移电压、RTI(2) 与电源间的关系 2.7V ≤ VS ≤ 5.5V ±2.5 μV/V
VOS 总线偏移电压，RTI(2) ±1.25 ±7.5 mV
总线偏移电压、RTI(2) 与温度间的关系 –40°C ≤ TA ≤ 125°C 10 40 μV/°C
PSRR 总线偏移电压、RTI(2) 与电源间的关系 ±0.5 mV/V
IB 输入偏置电流（IIN+、IIN– 引脚） 0.1 nA
VBUS 输入阻抗 830 kΩ
输入泄漏电流(3) （IN+ 引脚）+（IN- 引脚）
，省电模式		 0.1 0.5 μA
直流精度
ADC 原生分辨率 16 位
1 个最低有效位 (LSB) 阶跃幅度 分流电压 2.5 μV
总线电压 1.25 mV
分流电压增益误差 0.02% 0.1%
分流电压增益误差与温度间的关系 –40°C ≤ TA ≤ 125°C 10 50 ppm/°C
总线电压增益误差 0.02% 0.1%
总线电压增益误差与温度间的关系 –40°C ≤ TA ≤ 125°C 10 50 ppm/°C
差动非线性 ±0.1 LSB
tCT ADC 转换时间 CT 位 = 000 140 154 μs
CT 位 = 001 204 224
CT 位 = 010 332 365
CT 位 = 011 588 646
CT 位 = 100 1.1 1.21 ms
CT 位 = 101 2.116 2.328
CT 位 = 110 4.156 4.572
CT 位 = 111 8.244 9.068
SMBus
SMBus 超时(4) 28 35 ms
数字输入/输出
输入电容 3 pF
输入泄漏电流 0V ≤ VSCL ≤ VVS，
0V ≤ VSDA ≤ VVS，
0V ≤ VAlert ≤ VVS，
0V ≤ VA0 ≤ VVS，
0V ≤ VA1 ≤ VVS		 0.1 1 μA
VIH 高电平输入电压 0.7 × VVS 6 V
VIL 低电平输入电压 -0.5 0.3 × VVS V
VOL 低电平输出电压，SDA、警报 IOL = 3mA 0 0.4 V
磁滞 500 mV
电源
工作电源电压范围 2.7 5.5 V
IQ 静态电流 330 420 μA
静态电流，省电（关断）模式 0.5 2 μA
VPOR 上电复位阈值 2 V
(1) 虽然输入范围为 36V，但 ADC 缩放的满标量程为 40.96V。请参阅节 6.3.1。应用的电压切勿超过 36V。
(2) RTI = 以输入为参考。
(3) 对于本表顶部所示条件，输入泄漏电流为正（电流流入引脚）。在不同的输入条件下，可能会出现负泄漏电流。
(4) 只要 SCL 为低电平的时间超过 28ms，器件中的 SMBus 超时就会复位接口。